Диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в области температур 223-293 K
Козюхин С.А.1,2, Бедин С.А.3, Рудаковская П.Г.1, Иванова О.С.1, Иванов В.К.1,4
1Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет (химический факультет), Томск, Россия
3Московский Педагогический Государственный Университет, Москва, Россия
4Московский технологический университет, Москва, Россия
![Moscow Technological University, Moscow, Russia](/images/e16.png)
Email: sergkoz@igic.ras.ru
Поступила в редакцию: 30 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.
Исследованы диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в интервале температур 223-293 K и в диапазоне частот nu=10-2-106 Гц. Порошки WO3 с размерами частиц 110, 150 и 200 нм были приготовлены термической обработкой паравольфрамата аммония при различных температурах. Установлено, что для всех образцов частотные зависимости проводимости являются возрастающими с увеличением частоты, в то время как поляризационные характеристики varepsilon'(nu) и varepsilon''(nu) уменьшаются. Найдено, что частотные зависимости проводимости описываются функцией вида nus с показателем степени, находящимся в диапазоне (0.83 - 0.90) ± 0.01, что свойственно "прыжковому" механизму перемещения заряженных частиц (комплексов) по локализованным состояниям, ограниченным потенциальными барьерами и дефектами структуры.
- G. Granqvist. Handbook of Electrochromic Materials (Amsterdam, Elsevier, 1995)
- B. Urasinska-Wojcik, T.A. Vincent, M.F. Chowdhury, J.W. Gardner. Sensors Actuators B: Chemical, 239, 1051 (2017)
- L. Wang, A. Teleki, S.E. Pratsinis, P.I. Gouma. Chem. Mater., 20, 4794 (2008)
- S.S. Kalaga, S.S. Mali, D.S. Dalavi, A.I. Inamdar, H. Im, P.S. Patil. Synth. Metals, 161, 1105 (2011)
- S.E.M. Svensson, C.G. Granqvist. Thin Sol. Films, 126, 31 (1985)
- B. Gavanier, F.M. Miehalak, J.R. Owen. Ionics, 3, 265 (1997)
- G. Leftheriotis, G. Syrrokostas, P. Yianoulis. Solar Energy Mater. Solar Cells, 94, 2304 (2010)
- A. Pawlicka. Recent Patents on Nanotechnology, 3, 177 (2009)
- S. Long, H. Zhou, S. Bao, Y. Xin, X. Cao, P. Jin. RCS Advances, 6, 106435 (2016)
- Ch. Ma, Ch. Zhou, Zh. Zhang, B. Wang, L. Wei. Mater. Sci. Forum, 445\&446, 141 (2004)
- E.K.H. Salje. Eur. J. Solid State Inorg. Chem., 31, 651 (1994)
- A. Aird, M.C. Domeneghetti, F. Mazzi, V. Tazzoli, E.K.H. Salje. J. Phys.: Condens. Matter, 10, L569 (1998)
- Sh. Sawada. J. Phys. Soc. Japan, 11 (12), 1237 (1956)
- L. Wang, A. Teleki, S.E. Pratsinis, P.I. Gouma. Chem. Mater., 20, 4794 (2008)
- P.M. Woodward, A.W. Sleight, T. Vogt. J. Solid State Chem., 131 (1), 9 (1997)
- A. Elshafie, H.H. Afify, A. Abdel-All. Phys. Status Solidi, 174, 301 (1999)
- M.M. El-Nahass, H.A.M. Ali, M. Saadeldin, M. Zaghllol. Physica B, 407, 4453 (2012)
- M.G. Hutchins, O. Abu-Alkhair, M.M. El-Nahass, K. Abdel-Hady. J. Non-Cryst. Sol., 353, 4137 (2007)
- Г. Фрелих. Теория диэлектриков (М., Мир, 1960)
- П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
- B. Jagan Mohan Reddy, G. Paran Jyothi, M.V. Ramana Reddy, M.N. Chary, Narasimha Reddy. Phys. Status Solidi, 137, 241 (1993)
- Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела (М., Мир, 1979) т. 2
- А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (М., Мир, 1986)
- Ю.М. Поплавко, Л.П. Переверзева, И.П. Раевский. Физика активных диэлектриков, под ред. В.П. Сахненко (Ростов н/Д, Изд-во ЮФУ, 2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.