"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом
Мурель А.В.1, Шмагин В.Б.1, Крюков В.Л.2, Стрельченко С.С.2, Суровегина Е.А., Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2ООО "МеГа Эпитех", Калуга, Россия
Email: suroveginaka@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

В выращенных методом жидкофазной эпитаксии GaAs-структурах с дырочным типом проводимости методами емкостной спектроскопии (адмиттанс-спектроскопии и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней) обнаружены три глубоких акцепторных уровня с энергиями активации ~0.7, ~0.41 и ~0.16 эВ. Первые два уровня известны как HL2, HL5 и связываются с особенностями роста слоев GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Они являются эффективными рекомбинационными центрами, определяющими обратные токи в p-i-n-диодах, что подтверждается изучением температурных зависимостей обратных токов. Уровень с энергией Ev+0.16 эВ может быть связан с двухзарядным акцепторным уровнем собственного антиструктурного дефекта GaAs, который в однозарядном состоянии определяет уровень легирования структур. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45107.21
  • В. Войтович, А. Думаневич, А. Гордеев. Современная электроника, 6, 10 (2014)
  • S. Bellone, G. Cocorullo, F.G. Della Corte, H.L. Hartnageland, G. Schweeger. Sol. St. Electron., 35 (6), 821 (1992)
  • М.М. Соболев, П.Р. Брунков, С.Г. Конников, М.Н. Степанова, В.Г. Никитин, В.П. Улин, А.Ш. Долбая, Т.Д. Камушадзе, Р. Майсурадзе. ФТП, 25 (6), 1058 (1989)
  • П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25 (1), 338 (1991)
  • Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 34 (5), 558 (2000)
  • O. Korolkov, J. Toompuu, T. Rang. Elrektronika Elektrotechnika (Elrektronics and Electrical Engineering), 19 (10), 1392 (2013)
  • Я. Тоомпуу, O. Koрольков, Н. Слепчук, T. Ранг. Электроника и электротехника. Каунас: Технология, 4, 51 (2010)
  • В.Л. Крюков, Е.В. Крюков, Л.А. Меерович, С.С. Стрельченко, К.А. Титивкин. Патент RU 2488911 C1. Заявка N 2012110151/28 от 19.03.2012
  • D.L. Losee. J. Appl. Phys., 46, 2204 (1975)
  • J.L. Pautrat, B. Katirciogli, N. Magnea, D. Bensahel, J.C. Pfistert, L. Revioil. Sol. St. Electron., 23, 1159 (1980)
  • D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  • Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  • G. Roos, A. Schoner, G. Pencl, K. Krambrock, B.K. Meyer. Mater. Sci. Forum, 38-- 41, 951 (1989)
  • Phil Won Yu, W.C. Mitchel, M.G. Mier, S.S. Li, W.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 41, 532 (1982)
  • S.R. Forrest, O.K. Kim. J. Appl. Phys., 53, 5738 (1982)
  • A. Dargis, J. Kundrotas. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP (Vilnus, 1994)
  • A. Czerwinski, E. Simoen, A. Poyai, C. Claeys. J. Appl. Phys., 94, 1218 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.