"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия
РФФИ, р_поволжье_а, 15-47-02294
Тарасова E.A.1, Оболенский C.B.1, Галкин O.E.1, Хананова A.B.1, Макаров А.Б.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: thelen@yandex.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Предложен метод математической обработки результатов измерений вольт-фарадных характеристик HEMT AlGaN/GaN до и после gamma-нейтронного облучения с флюенсом 0.4·1014-2. Описаны результаты физико-топологического моделирования HEMT AlGaN/GaN на подложке SiC. Определена погрешность расчета параметров GaN-HEMT, обусловленная погрешностью вычисления профиля распределения электронов. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45108.22
  • H.B. Басаргина, И. Ворожцова, C.M. Дубровских, O.B. Ткачев, В.П. Шукайло, E.A. Тарасова, А.Ю. Чурин, С.В. Оболенский. Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 1 (3), 61 2013
  • Ю.А. Матвеев, Ю.В. Федоров. Нано- и микросистемная техника, N 5, 39 (2011)
  • E.A. Тарасова, E.C. Оболенская, A.B. Хананова, C.B. Оболенский, B.E. Земляков, В.И. Егоркин, A.B. Неженцев, A.B. Сахаров, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, E.E. Заварин, Г.В. Медведев. ФТП, 50 (12), 1599 (2016)
  • В.И. Бердышев, Л.В. Петрак. Аппроксимация функций, сжатие численной информации, приложения (Екатеринбург, ИММ УрО РАН, 1999)
  • A.H. Тихонов, В.Я. Арсенин. Методы решения некорректных задач (М., Наука, 1979)
  • H.C. Бахвалов, Н.П. Жидков, Г.М. Кобельков. Численные методы (М., БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008)
  • Yifeng Wu, Primit Parikh. Intern. Symp. Compound Semiconductor (January/February 2006)
  • I.P. Smorchkova, L. Chen, T. Mates, L. Shen, S. Heikman, B. Moran, S. Keller, S.P. Den Baars, J.S. Speck, U.K. Mishra. J. Appl. Phys., 90, 5196 (2001)
  • G. Meneghesso, G. Verzellesi, F. Danesin, F. Rampazzo, F. Zano, A. Tazzoli, M. Meneghini, E. Zanoni. IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 8 (2), 332 (2008)
  • Abhitosh Vais. Thesis for Erasmus Mundus Master Programme Nanoscience \& Nanotechnology, (Microwave Electronics Laboratory Department of Microtechnology \& Nanoscience, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden, 2012)
  • G.K. Wachutka. IEEE Trans. Comput.-Aided Des. Integr. Circuits Syst., 9 (11), 1141 (1990)
  • Jie Sun, H. Fatima, A. Koudymov, A. Chitnis, X. Hua, H.-M. Wang, J. Zhang, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan. IEEE Electron Dev. Lett., 24 (6), 375 (2003).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.