Вышедшие номера
Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии
Борисов В.И. 1, Кувшинова Н.А. 1, Курочка С.П. 2, Сизов В.Е. 1, Степушкин М.В. 1,2, Темирязев А.Г. 1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: vbi@ms.ire.rssi.ru, nanorobot@list.ru, kursp@bk.ru, chmil@ms.ire.rssi.ru, smv91@ms.ire.rssi.ru, temiryazev@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Квазиодномерные полупроводниковые структуры с изменяемым продольным потенциальным рельефом созданы методом импульсной силовой нанолитографии, выполняемой с использованием атомно-силового микроскопа. Структуры изготавливались на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с глубоким (130 нм от поверхности) залеганием двумерного электронного газа. Потенциальный профиль канала формировался с помощью секционированных планарных затворов, созданных по обеим сторонам канала. Электрические параметры полученных структур, измеренные при температурах до 1.5 K, подтвердили эффективность примененного метода для создания изолирующих областей с латеральными размерами ~ 10 нм. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45106.20