Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии
Борисов В.И.
1, Кувшинова Н.А.
1, Курочка С.П.
2, Сизов В.Е.
1, Степушкин М.В.
1,2, Темирязев А.Г.
1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия 
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: vbi@ms.ire.rssi.ru, nanorobot@list.ru, kursp@bk.ru, chmil@ms.ire.rssi.ru, smv91@ms.ire.rssi.ru, temiryazev@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Квазиодномерные полупроводниковые структуры с изменяемым продольным потенциальным рельефом созданы методом импульсной силовой нанолитографии, выполняемой с использованием атомно-силового микроскопа. Структуры изготавливались на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с глубоким (130 нм от поверхности) залеганием двумерного электронного газа. Потенциальный профиль канала формировался с помощью секционированных планарных затворов, созданных по обеим сторонам канала. Электрические параметры полученных структур, измеренные при температурах до 1.5 K, подтвердили эффективность примененного метода для создания изолирующих областей с латеральными размерами ~ 10 нм. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45106.20
- C.W.J. Beenakker, van H. Houten. Sol. St. Phys., 44, 1 (1991)
- T. Morimoto, Y. Iwase, N. Aoki, T. Sasaki, Y. Ochiai, A. Shailos, J.P. Bird, M.P. Lilly, J.L. Reno, J.A. Simmons. Phys. Lett., 82 (22), 3952 (2003)
- A. Shailos, A. Ashok, J.P. Bird, R. Akis, D.K. Ferry, S.M. Goodnick, M.P. Lilly, J.L. Reno, J.A. Simmons. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 1715 (2006)
- M. Pepper, C.G. Smith, R.J. Brown, D.A.Wharam, M.J. Kelly, R. Newbury, H. Ahmed, D.G. Hasko, D.C. Peacock, J.E.F. Frost, D.A. Ritchie, G.A.C. Jones. Semicond. Sci. Technol., 5, 1185 (1990)
- J. Nieder, A.D. Wieck, P. Grambow, H. Lage, D. Heitman, K.V. Klitzing, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 57 (25), 2695 (1990)
- В.И. Борисов, В.Г. Лапин, А.Г. Темирязев, А.И. Торопов, А.И. Чмиль. РЭ, 54 (4), 457 (2009)
- K. Matsumoto. Scanning Microscopy, 12 (1), 61 (1998)
- В.И. Борисов, В.Г. Лапин, В.Е. Сизов, А.Г. Темирязев. Письма ЖТФ, 37 (3), 85 (2011)
- A. Temiryazev. Diamond Relat. Mater., 48, 60 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
