"Физика и техника полупроводников"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2019
- 1 2 3 4 5 6 7
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45106.20

Борисов В.И.

¹, Кувшинова Н.А.

¹, Курочка С.П.

², Сизов В.Е.

¹, Степушкин М.В.

^1,2, Темирязев А.Г.

¹Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия Fryazino Branch of the Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino, Russia

Fryazino Branch of the Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino, Russia

²Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

Email: vbi@ms.ire.rssi.ru, nanorobot@list.ru, kursp@bk.ru, chmil@ms.ire.rssi.ru, smv91@ms.ire.rssi.ru, temiryazev@gmail.com

Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Квазиодномерные полупроводниковые структуры с изменяемым продольным потенциальным рельефом созданы методом импульсной силовой нанолитографии, выполняемой с использованием атомно-силового микроскопа. Структуры изготавливались на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с глубоким (130 нм от поверхности) залеганием двумерного электронного газа. Потенциальный профиль канала формировался с помощью секционированных планарных затворов, созданных по обеим сторонам канала. Электрические параметры полученных структур, измеренные при температурах до 1.5 K, подтвердили эффективность примененного метода для создания изолирующих областей с латеральными размерами ~ 10 нм. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45106.20

C.W.J. Beenakker, van H. Houten. Sol. St. Phys., 44, 1 (1991)

T. Morimoto, Y. Iwase, N. Aoki, T. Sasaki, Y. Ochiai, A. Shailos, J.P. Bird, M.P. Lilly, J.L. Reno, J.A. Simmons. Phys. Lett., 82 (22), 3952 (2003)

A. Shailos, A. Ashok, J.P. Bird, R. Akis, D.K. Ferry, S.M. Goodnick, M.P. Lilly, J.L. Reno, J.A. Simmons. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 1715 (2006)

M. Pepper, C.G. Smith, R.J. Brown, D.A.Wharam, M.J. Kelly, R. Newbury, H. Ahmed, D.G. Hasko, D.C. Peacock, J.E.F. Frost, D.A. Ritchie, G.A.C. Jones. Semicond. Sci. Technol., 5, 1185 (1990)

J. Nieder, A.D. Wieck, P. Grambow, H. Lage, D. Heitman, K.V. Klitzing, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 57 (25), 2695 (1990)

В.И. Борисов, В.Г. Лапин, А.Г. Темирязев, А.И. Торопов, А.И. Чмиль. РЭ, 54 (4), 457 (2009)

K. Matsumoto. Scanning Microscopy, 12 (1), 61 (1998)

В.И. Борисов, В.Г. Лапин, В.Е. Сизов, А.Г. Темирязев. Письма ЖТФ, 37 (3), 85 (2011)

A. Temiryazev. Diamond Relat. Mater., 48, 60 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель