"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
Алешкин В.Я.1,2, Байдусь Н.В.1,2, Дубинов А.А.1,2, Кудрявцев К.Е.1,2, Некоркин С.М.2, Новиков А.В.1,2, Рыков А.В.2, Самарцев И.В.2, Фефелов А.Г.3, Юрасов Д.В.1,2, Красильник Ф.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3ОАО НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия
Email: aleshkin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Созданы InGaAs/GaAs/AlGaAs лазерные диоды с квантовыми ямами, выращенными методом МОГФЭ на неотклоненной Si (001)-подложке с буферным слоем Ge. Диоды генерируют стимулированное излучение в импульсном режиме при комнатной температуре в спектральном диапазоне 1.09-1.11 мкм. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45105.19
  • C. Sun, M.T. Wade, Y. Lee, J.S. Orcutt, L. Alloatti, M.S. Georgas, A.S. Waterman, J.M. Shainline, R.R. Avizienis, S. Lin, B.R. Moss, R. Kumar, F. Pavanello, A.H. Atabaki, H.M. Cook, A.J. Ou, J.C. Leu, Y.-H. Chen, K. Asanovic, R.J. Ram, M.A. Popovic, V.M. Stojanovic. Nature, 528, 534 (2015)
  • A.Y. Liu, C. Zhang, J. Norman, A. Snyder, D. Lubyshev, J.M. Fastenau, A.W.K. Liu, A.C. Gossard, J.E. Bowers Appl. Phys. Lett., 104, 041104 (2014)
  • S. Chen, W. Li, J. Wu, Q. Jiang, M. Tang, S. Shutts, S.N. Elliott, A. Sobiesierski, A.J. Seeds, I. Ross, P.M. Smowton, H. Liu. Nature Photonics, 10, 307 (2016)
  • X. Huang, Y. Song, T. Masuda, D. Jung, M. Lee. Electron. Lett., 50, 1226 (2014)
  • V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov. Appl. Phys. Lett., 109, 061111 (2016)
  • В.Я. Алешкин, Н.В. Байдусь, А.А. Дубинов, З.Ф. Красильник, С.М. Некоркин, А.В. Новиков, А.В. Рыков, Д.В. Юрасов, А.Н. Яблонский. ФТП, 51, 702 (2017)
  • A.Y. Liu, J. Peters, X. Huang, D. Jung, J. Norman, M.L. Lee, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Optics Lett., 42, 338 (2017)
  • C.K. Chia, J.R. Dong, D.Z. Chi, A. Sridhara, A.S.W. Wong, M. Suryana, G.K. Dalapati, S.J. Chua, S.J. Lee, Appl. Phys. Lett., 92, 141905 (2008)
  • В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, С.А. Денисов, З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, С.А. Матвеев, С.М. Некоркин, В.Г. Шенгуров. Письма ЖЭТФ, 100, 900 (2014)
  • В.Я. Алешкин, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, А.В. Новиков, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов. Письма ЖТФ, 41 (13), 72 (2015)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.