"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование влияния сурфактанта Ga при высокотемпературной аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев AlN на свойства нитридных гетероструктур
Алексеев А.Н.1, Мамаев В.В.1, Петров С.И.1
1ЗАО "НТО", Санкт-Петербург, Россия
Email: petrov@semiteq.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Представлены результаты выращивания буферных слоев AlN для транзисторов с высокой подвижностью электронов методом высокотемпературной аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием Ga в качестве сурфактанта. Основными параметрами, влияющими на кинетику роста и дефектообразование, являются эффективные потоки прекурсоров и сурфактанта, а также температура подложки, которая ограничивает поток сурфактанта из-за десорбции Ga с поверхности. В частности, добавление потока Ga, равного потоку Al, при температуре подложки 1150oC не изменяет скорость роста, меняя при этом его кинетику. Такой подход позволяет повысить поверхностную подвижность адатомов и обеспечивает быстрый переход в режим 2D-роста. В гетероструктурах с двумерным электронным газом, выращенных с использованием сурфактанта, была достигнута подвижность носителей до 2000 см2/В·с. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45100.14
  • J.B. Webb, H. Tang, J.A. Bardwell, S. Moisa, C. Peters, T. MacElwee. J. Cryst. Growth, 230 (3), 584 (2001)
  • S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. J. Appl. Phys., 71 (11), 5543 (1992)
  • G. Koblmuller, F. Wu, T. Mates, J.S. Speck, S. Fernandez-Garrido, E. Calleja. Appl. Phys. Lett., 91, 221905 (2007)
  • S.I. Petrov, A.N. Alexeev, D.M. Krasovitsky, V.P. Chaly. Phys. Status Solidi C, 9 (3--4), 562 (2012)
  • H.M. Ng, D. Doppalapudi, T.D. Moustakes. Appl. Phys. Lett., 73 (6), 821 (1998).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.