"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкотемпературное осаждение пленок SiNx в индуктивно-связанной плазме SiH4/Ar + N2 в условиях сильного разбавления силана аргоном
Охапкин А.И.1, Королёв C.А.1, Юнин П.А.1, Дроздов М.Н.1, Краев С.А.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: andy-ohapkin@yandex.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Получены пленки SiNx на кремнии в индуктивно-связанной плазме SiH4/Ar + N2 в условиях сильного разбавления силана аргоном. Изучены зависимости скорости осаждения и свойств нитрида кремния от газового состава плазмы, давления, мощности емкостного и индуктивного разрядов. В ряде случаев характер найденных зависимостей отличается от литературных данных, известных для неразбавленных реагентов. Установлено, что наименьшее содержание примесей в пленках и их наилучшие свойства реализуются при соотношении азота и силана, близком к 1.4. Возрастание мощности емкостного разряда способствует получению более гладких образцов за счет полирующего действия ионов аргона. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45099.13
  • Р.А. Андриевский. Успехи химии, 64 (3), 311 (1995)
  • C.E. Morosanu, E. Segal. Mater. Chem., 7, 79 (1982)
  • N. Susa, H. Kanbe, H. Ando, Y. Ohmachi. Jpn. J. Appl. Phys., 19, L675 (1980)
  • H. Huang, K.J. Winchester, A. Suvorova, B.R. Lawn, Y. Liud, X.Z. Hud, J.M. Dell, L. Faraone. Mater. Sci. Engin. A, 435-- 436, 453 (2006)
  • T. Takagi, Y. Nakagawa, Y. Watabe, K. Takechi, S. Nishida. Vacuum, 51 (4), 751 (1998)
  • M. Mikolajunas, R. Kaliasasa, M. Andruleviciusb, V. Grigaliunasb, J. Baltrusaitisc, D. Virzonisa. Thin Sol. Films, 516 (23), 8788 (2008)
  • J.W. Lee, K.D. Mackenzie, D. Johnson, J.N. Sasserath, S.J. Pearton, F. Ren. J. Electrochem. Soc., 147 (4), 1481 (2000)
  • M. Shi, X. Shao, H. Tang, T. Li, Y. Wang, X. Li, H. Gong. Infr. Phys. Technol., 67, 197 (2014)
  • I.O. Parm, K. Kim, D.G. Lim, J.H. Lee, J.H. Heo, J. Kim, D.S. Kim, S.H. Lee, J. Yi. Solar Energy Mater. and Solar Cells, 74 (1-4), 97 (2002)
  • J. Yota, J. Hander, A.A. Saleh. J. Vac. Sci. Technol. A, 18 (2), 372 (2000)
  • A. Kshirsagar, P. Nyaupane, D. Bodas, S.P. Duttagupta, S.A. Gangal. Appl. Surf. Sci., 257, 5052 (2011)
  • S. Maity, S. Sahare. Optik, 127, 5240 (2016)
  • П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, А.И. Охапкин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. ФТП, 49 (11), 1469 (2015)
  • S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley and Sons, Inc., N.Y., 1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.