"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературное осаждение пленок SiNx в индуктивно-связанной плазме SiH4/Ar + N2 в условиях сильного разбавления силана аргоном
Охапкин А.И.1, Королёв C.А.1, Юнин П.А.1, Дроздов М.Н.1, Краев С.А.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: andy-ohapkin@yandex.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Получены пленки SiNx на кремнии в индуктивно-связанной плазме SiH4/Ar + N2 в условиях сильного разбавления силана аргоном. Изучены зависимости скорости осаждения и свойств нитрида кремния от газового состава плазмы, давления, мощности емкостного и индуктивного разрядов. В ряде случаев характер найденных зависимостей отличается от литературных данных, известных для неразбавленных реагентов. Установлено, что наименьшее содержание примесей в пленках и их наилучшие свойства реализуются при соотношении азота и силана, близком к 1.4. Возрастание мощности емкостного разряда способствует получению более гладких образцов за счет полирующего действия ионов аргона. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45099.13
  1. Р.А. Андриевский. Успехи химии, 64 (3), 311 (1995)
  2. C.E. Morosanu, E. Segal. Mater. Chem., 7, 79 (1982)
  3. N. Susa, H. Kanbe, H. Ando, Y. Ohmachi. Jpn. J. Appl. Phys., 19, L675 (1980)
  4. H. Huang, K.J. Winchester, A. Suvorova, B.R. Lawn, Y. Liud, X.Z. Hud, J.M. Dell, L. Faraone. Mater. Sci. Engin. A, 435-- 436, 453 (2006)
  5. T. Takagi, Y. Nakagawa, Y. Watabe, K. Takechi, S. Nishida. Vacuum, 51 (4), 751 (1998)
  6. M. Mikolajunas, R. Kaliasasa, M. Andruleviciusb, V. Grigaliunasb, J. Baltrusaitisc, D. Virzonisa. Thin Sol. Films, 516 (23), 8788 (2008)
  7. J.W. Lee, K.D. Mackenzie, D. Johnson, J.N. Sasserath, S.J. Pearton, F. Ren. J. Electrochem. Soc., 147 (4), 1481 (2000)
  8. M. Shi, X. Shao, H. Tang, T. Li, Y. Wang, X. Li, H. Gong. Infr. Phys. Technol., 67, 197 (2014)
  9. I.O. Parm, K. Kim, D.G. Lim, J.H. Lee, J.H. Heo, J. Kim, D.S. Kim, S.H. Lee, J. Yi. Solar Energy Mater. and Solar Cells, 74 (1-4), 97 (2002)
  10. J. Yota, J. Hander, A.A. Saleh. J. Vac. Sci. Technol. A, 18 (2), 372 (2000)
  11. A. Kshirsagar, P. Nyaupane, D. Bodas, S.P. Duttagupta, S.A. Gangal. Appl. Surf. Sci., 257, 5052 (2011)
  12. S. Maity, S. Sahare. Optik, 127, 5240 (2016)
  13. П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, А.И. Охапкин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. ФТП, 49 (11), 1469 (2015)
  14. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley and Sons, Inc., N.Y., 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.