"Физика и техника полупроводников"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низкотемпературное осаждение пленок SiN_x в индуктивно-связанной плазме SiH₄/Ar + N₂ в условиях сильного разбавления силана аргоном

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45099.13

Охапкин А.И.¹, Королёв C.А.¹, Юнин П.А.¹, Дроздов М.Н.¹, Краев С.А.¹, Хрыкин О.И.¹, Шашкин В.И.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: andy-ohapkin@yandex.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получены пленки SiN_x на кремнии в индуктивно-связанной плазме SiH₄/Ar + N₂ в условиях сильного разбавления силана аргоном. Изучены зависимости скорости осаждения и свойств нитрида кремния от газового состава плазмы, давления, мощности емкостного и индуктивного разрядов. В ряде случаев характер найденных зависимостей отличается от литературных данных, известных для неразбавленных реагентов. Установлено, что наименьшее содержание примесей в пленках и их наилучшие свойства реализуются при соотношении азота и силана, близком к 1.4. Возрастание мощности емкостного разряда способствует получению более гладких образцов за счет полирующего действия ионов аргона. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45099.13

Р.А. Андриевский. Успехи химии, 64 (3), 311 (1995)
C.E. Morosanu, E. Segal. Mater. Chem., 7, 79 (1982)
N. Susa, H. Kanbe, H. Ando, Y. Ohmachi. Jpn. J. Appl. Phys., 19, L675 (1980)
H. Huang, K.J. Winchester, A. Suvorova, B.R. Lawn, Y. Liud, X.Z. Hud, J.M. Dell, L. Faraone. Mater. Sci. Engin. A, 435-- 436, 453 (2006)
T. Takagi, Y. Nakagawa, Y. Watabe, K. Takechi, S. Nishida. Vacuum, 51 (4), 751 (1998)
M. Mikolajunas, R. Kaliasasa, M. Andruleviciusb, V. Grigaliunasb, J. Baltrusaitisc, D. Virzonisa. Thin Sol. Films, 516 (23), 8788 (2008)
J.W. Lee, K.D. Mackenzie, D. Johnson, J.N. Sasserath, S.J. Pearton, F. Ren. J. Electrochem. Soc., 147 (4), 1481 (2000)
M. Shi, X. Shao, H. Tang, T. Li, Y. Wang, X. Li, H. Gong. Infr. Phys. Technol., 67, 197 (2014)
I.O. Parm, K. Kim, D.G. Lim, J.H. Lee, J.H. Heo, J. Kim, D.S. Kim, S.H. Lee, J. Yi. Solar Energy Mater. and Solar Cells, 74 (1-4), 97 (2002)
J. Yota, J. Hander, A.A. Saleh. J. Vac. Sci. Technol. A, 18 (2), 372 (2000)
A. Kshirsagar, P. Nyaupane, D. Bodas, S.P. Duttagupta, S.A. Gangal. Appl. Surf. Sci., 257, 5052 (2011)
S. Maity, S. Sahare. Optik, 127, 5240 (2016)
П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, А.И. Охапкин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. ФТП, 49 (11), 1469 (2015)
S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley and Sons, Inc., N.Y., 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель