Вышедшие номера
Низкотемпературное осаждение пленок SiNx в индуктивно-связанной плазме SiH4/Ar + N2 в условиях сильного разбавления силана аргоном
Охапкин А.И.1, Королёв C.А.1, Юнин П.А.1, Дроздов М.Н.1, Краев С.А.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: andy-ohapkin@yandex.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Получены пленки SiNx на кремнии в индуктивно-связанной плазме SiH4/Ar + N2 в условиях сильного разбавления силана аргоном. Изучены зависимости скорости осаждения и свойств нитрида кремния от газового состава плазмы, давления, мощности емкостного и индуктивного разрядов. В ряде случаев характер найденных зависимостей отличается от литературных данных, известных для неразбавленных реагентов. Установлено, что наименьшее содержание примесей в пленках и их наилучшие свойства реализуются при соотношении азота и силана, близком к 1.4. Возрастание мощности емкостного разряда способствует получению более гладких образцов за счет полирующего действия ионов аргона. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45099.13