Электронная почта: semicond@mail.ioffe.ru
"Физика и техника полупроводников"
Авторам
Вышедшие номера
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Email: aleshkin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Вычислены времена каскадного захвата электрона на заряженный диполь донор-акцептор для случая импульсного и стационарного возбуждений примесной фотопроводимости в GaAs, Ge и Si. Показано, что при концентрации заряженной примеси, большей 1013 см-3, зависимость частоты каскадного захвата от концентрации заряженной примеси становится сублинейной в рассматриваемых полупроводниках. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45098.12
- A.L. Efros, B.I. Shklovsky, I.J. Janchev. Phys. Status Solidi B, 50, 45 (1972)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 72, 674 (1977)
- V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. Nonradiative Recombination in Semiconductors (Elsevier Science Publishers, Amsterdam, 1991)
- В.Я. Алешкин, Л.В. Гавриленко. ЖЭТФ, 150, 328 (2016)
- Л.П. Питаевский. ЖЭТФ, 42, 1326 (1962)
- В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
