"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках
Алешкин В.Я.1, Гавриленко Л.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: aleshkin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Вычислены времена каскадного захвата электрона на заряженный диполь донор-акцептор для случая импульсного и стационарного возбуждений примесной фотопроводимости в GaAs, Ge и Si. Показано, что при концентрации заряженной примеси, большей 1013 см-3, зависимость частоты каскадного захвата от концентрации заряженной примеси становится сублинейной в рассматриваемых полупроводниках. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45098.12
  1. A.L. Efros, B.I. Shklovsky, I.J. Janchev. Phys. Status Solidi B, 50, 45 (1972)
  2. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 72, 674 (1977)
  3. V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. Nonradiative Recombination in Semiconductors (Elsevier Science Publishers, Amsterdam, 1991)
  4. В.Я. Алешкин, Л.В. Гавриленко. ЖЭТФ, 150, 328 (2016)
  5. Л.П. Питаевский. ЖЭТФ, 42, 1326 (1962)
  6. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.