"Физика и техника полупроводников"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках

DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45098.12

Алешкин В.Я.¹, Гавриленко Л.В.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: aleshkin@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Вычислены времена каскадного захвата электрона на заряженный диполь донор-акцептор для случая импульсного и стационарного возбуждений примесной фотопроводимости в GaAs, Ge и Si. Показано, что при концентрации заряженной примеси, большей 10¹³ см^-3, зависимость частоты каскадного захвата от концентрации заряженной примеси становится сублинейной в рассматриваемых полупроводниках. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45098.12

A.L. Efros, B.I. Shklovsky, I.J. Janchev. Phys. Status Solidi B, 50, 45 (1972)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 72, 674 (1977)
V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. Nonradiative Recombination in Semiconductors (Elsevier Science Publishers, Amsterdam, 1991)
В.Я. Алешкин, Л.В. Гавриленко. ЖЭТФ, 150, 328 (2016)
Л.П. Питаевский. ЖЭТФ, 42, 1326 (1962)
В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель