Вышедшие номера
Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках
Алешкин В.Я.1, Гавриленко Л.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: aleshkin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Вычислены времена каскадного захвата электрона на заряженный диполь донор-акцептор для случая импульсного и стационарного возбуждений примесной фотопроводимости в GaAs, Ge и Si. Показано, что при концентрации заряженной примеси, большей 1013 см-3, зависимость частоты каскадного захвата от концентрации заряженной примеси становится сублинейной в рассматриваемых полупроводниках. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45098.12