"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках
Алешкин В.Я.1, Гавриленко Л.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: aleshkin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Вычислены времена каскадного захвата электрона на заряженный диполь донор-акцептор для случая импульсного и стационарного возбуждений примесной фотопроводимости в GaAs, Ge и Si. Показано, что при концентрации заряженной примеси, большей 1013 см-3, зависимость частоты каскадного захвата от концентрации заряженной примеси становится сублинейной в рассматриваемых полупроводниках. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45098.12
  • A.L. Efros, B.I. Shklovsky, I.J. Janchev. Phys. Status Solidi B, 50, 45 (1972)
  • В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 72, 674 (1977)
  • V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. Nonradiative Recombination in Semiconductors (Elsevier Science Publishers, Amsterdam, 1991)
  • В.Я. Алешкин, Л.В. Гавриленко. ЖЭТФ, 150, 328 (2016)
  • Л.П. Питаевский. ЖЭТФ, 42, 1326 (1962)
  • В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.