"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Неоднородное распределение легирующей примеси в AIIIBV нитевидных нанокристаллах
Лещенко Е.Д.1,2, Дубровский В.Г.1,2,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Работа посвящена исследованию пространственного распределения концентрации легирующей примеси в нитевидных нанокристаллах полупроводниковых соединений AIIIBV, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Найдена эволюция функции распределения легирующей примеси в результате решения краевой задачи диффузии. Показано, как в рамках построенной модели возникает неоднородность концентрации примеси, наблюдаемая экспериментально при легировании GaAs нитевидных нанокристаллов бериллием и в некоторых других системах материалов. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45094.08
  • S. Gradecak, F. Qian, Y. Li, H.G. Park, C.M. Lieber. Appl. Phys. Lett., 87, 173111 (2005)
  • В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43, 1585 (2009)
  • В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 30 (16), 41 (2004)
  • S. Hirano, N. Takeuchi, S. Shimada, K. Masuya, K. Ibe, H. Tsunakawa, M. Kuwabara. J. Appl. Phys., 98, 094305 (2005)
  • E. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, C.M. Lieber. Proc. Nat. Acad. Sci. USA, 101, 14017 (2004)
  • G. Zheng, W. Lu, S. Jin, C.M. Lieber. Adv. Mater., 16, 1890 (2004)
  • M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, C. Thelander, A.I. Persson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 81 (23), 4458 (2002)
  • F. Matteini, V.G. Dubrovskii, D. Ruffer, G. Tutuncuovglu, Y. Fontana, A. Fontcuberta i Morral. Nanotechnology, 26, 105603 (2015).
  • J. Vukajlovic-Plestina, V.G. Dubrovskii, G. Tutuncuovglu, H. Potts, R. Ricca, F. Meyer, F. Matteini, J.-B. Leran, A. Fontcuberta i Morral. Nanotechnology, 27, 455601 (2016)
  • M. Law, L.E. Greene, A. Radenovic, T. Kuykendall, J. Liphardt, P. Yang. J. Phys. Chem. B, 110, 22652 (2006)
  • G.M. Cohen, M.J. Rooks, J.O. Chu, S.E. Laux, P.M. Solomon, J.A. Ott, R.J. Miller, W. Haensch. Appl. Phys. Lett., 90, 233110 (2007)
  • S. Arab, M. Yao, C. Zhou, P.D. Dapkus, S.B. Cronin. Appl. Phys. Lett., 108, 182106 (2016)
  • C. Blomers, T. Grap, M.I. Lepsa, J. Moers, St. Trellenkamp, D. Grutzmacher, H. Luth, Th. Schapers. Appl. Phys. Lett., 101, 152106 (2012)
  • E. Dimakis, M. Ramsteiner, A. Tahraoui, H. Riechert, L. Geelhaar. Nano Res., 5, 796 (2012)
  • A. Darbandi, J.C. Mc Neil, A. Akhtari-Zavareh, S.P. Watkins, K.L. Kavanagh. Nano Lett., 16, 3982 (2016)
  • A.C.E. Chia, N. Dhindsa, J.P. Boulanger, B.A. Wood, S.S. Saini, R.R. La Pierre. J. Appl. Phys., 118, 114306 (2015)
  • С. Colombo, D. Spirkoska, M. Frimmer, G. Abstreiter, A. Fontcuberta i Morral. Phys. Rev. B, 77, 155326 (2008)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, N.V. Sibirev, F. Jabeen, J.C. Harmand, P. Werner. Nano Lett., 11, 1247 (2011)
  • S. Plissard, K.A. Dick, G. Larrieu, S. Godey, A. Addad, X. Wallart, P. Caroff. Nanotechnology, 21, 385602 (2010)
  • J.G. Connell, K. Yoon, D.E. Perea, E.J. Schwalbach, P.W. Voorhees, L.J. Lauhon. Nano Lett., 13, 199 (2013)
  • E. Koren, N. Berkovitch, Y. Rosenwaks. Nano Lett., 10, 1163 (2010)
  • W. Chen, V.G. Dubrovskii, X. Liu, T. Xu, R. Larde, J.P. Nys, B. Grandidier, D. Stievenard, G. Patriarche, P. Pareige. J. Appl. Phys., 111, 094909 (2012)
  • V.G. Dubrovskii. Cryst. Growth Des., 15, 5738 (2015)
  • V.G. Dubrovskii, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S. Rouvimov, N. Akopian, T. Kasama, G.E. Cirlin. Cryst. Growth Des., 16, 7251 (2016)
  • Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.