"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Бесконтактная характеризация дельта-слоев марганца и углерода в арсениде галлия
Министерство образования и науки России, Госзадание, проектная часть, 8.1751.2017/ПЧ
Министерство образования и науки России, Госзадание, проектная часть, 16.1750.2017/4.6
Грант президента РФ на поддержку молодых российских ученых и ведущих научных школ, молодые кандидаты наук, МК 8221.2016.2
Комков О.С. 1, Кудрин А.В.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: okomkov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Метод спектроскопии фотоотражения применен для диагностики одиночных дельта-слоев марганца и углерода в нелегированном GaAs. Показано, что определяемая этим методом напряженность встроенных электрических полей растет с увеличением слоевой концентрации введенных примесей и хорошо коррелирует с технологическими данными и результатами, полученными методом Холла. Фазочувствительное фотоотражение позволило независимо измерить приповерхностное поле и поле, обусловленное дельта-легированием. Это дает возможность бесконтактно определять долю электрически активной примеси Mn и выявлять вклад delta-слоев углерода в гетеросистемы на основе GaAs. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45093.07
  1. E.F. Schubert, J.E. Cunningham, W.T. Tsang. Sol. St. Commun., 63 (7), 591 (1987)
  2. О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин. Письма ЖТФ, 35 (14), 8 (2009)
  3. А.В. Кудрин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов. Письма ЖТФ, 36 (11), 46 (2010)
  4. С.В. Зайцев, М.В. Дорохин, А.С. Бричкин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, В.Д. Кулаковский. Письма ЖЭТФ, 90 (10), 730 (2009)
  5. M.A.G. Balanta, M.J.S.P. Brasil, F. Iikawa, U.C. Mendes, J.A. Brum, Yu.A. Danilov, M.V. Dorokhin, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov. Sci. Rep., 6, 24537 (2016)
  6. A.A. Bernussi, F. Iikawa, P. Motisuke, P. Basmaji, M. Siu Li, O. Hipolito. J. Appl. Phys., 67, 4149 (1990)
  7. D.G. Liu, K.H. Chang, N.H. Lu, T.M. Hsu, Y.C. Tien. J. Appl. Phys., 72 (4), 1468 (1992)
  8. T.M. Hsu, Y.C. Tien, N.H. Lu. J. Appl. Phys., 72 (3), 1065 (1992)
  9. V.L. Alperovich, A.S. Yaroshevich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Phys. Status Solidi B, 175, K35 (1993)
  10. D. Birkedal, O. Hansen, C.B. Sorensen, K. Jarasiunas, S.D. Brorson, S.R. Keiding. Appl. Phys. Lett., 65 (1), 79 (1994)
  11. D. Seliuta, B. Chechavius, J. Kavaliauskas, G. Krivaite, I. Grigelionis, S. Balakauskas, G. Valusis, B. Sherliker, M.P. Halsall, M. Lachab, S.P. Khanna, P. Harrison, E.H. Linfield. Acta Phys. Polon. A, 113 (3), 909 (2008)
  12. Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, И.В. Бугаков, Т.П. Колмакова, А.В. Червяков. Неорг. матер., 47 (5), 517 (2011)
  13. О.С. Комков, Р.В. Докичев, А.В. Кудрин, Ю.А. Данилов. Письма ЖТФ, 39 (22), 56 (2013)
  14. V.L. Alperovich, A.S. Yaroshevich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Sol. St. Еlесtron., 37 (4-6), 657 (1994)
  15. А.В. Ганжа, В. Кирхер, Р.В. Кузьменко, Й. Шрайбер, Ш. Хидьдебрандт. ФТП, 32 (3), 272 (1998)
  16. Р.В. Кузьменко, Э.П. Домашевская. ФТП, 36 (3), 278 (2002)
  17. I.D. Tyurin, O.S. Komkov. Proc. 2016 IEEE North West Russia Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conf. (2016 EIConRusNW): (St.Petersburg, Russia, 2016) p. 97
  18. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Оптический журн., 75 (6), 56 (2008)
  19. Yu.A. Danilov, M.N. Drozdov, Yu.N. Drozdov, A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov, I.L. Kalentieva, V.S. Dunaev. J. Spintronics and Magnetic Nanomaterials, 1 (1), 82 (2012)
  20. A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. J. Cryst. Growth, 251, 303 (2003)
  21. W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Techn., 17, 1019 (1980)
  22. О.С. Комков, А.Н. Пихтин, Ю.В. Жиляев. Изв. вузов. Мат. эл. техн., 1, 45 (2011)
  23. А.Н. Пихтин, О.С. Комков, К.В. Базаров. ФТП, 40 (5), 608 (2006)
  24. О.С. Комков, А.Н. Пихтин, Ю.В. Жиляев, Л.М. Федоров. Письма ЖТФ, 34 (1), 81 (2008)
  25. O.S. Komkov, G.F. Glinskii, A.N. Pikhtin, Y.K. Ramgolam. Phys. Status Solidi A, 206 (5), 842 (2009)
  26. J.S. Blakemore, W.J. Brown, M.L. Stass, D.A. Woodbury. J. Appl. Phys., 44, 3352 (1973)
  27. M. Ilegems, R. Dingle, L.W. Rupp. J. Appl. Phys., 46, 3059 (1975)
  28. Г.Э. Шайблер. Автореф. канд. дис. (Новосибирск, Ин-т. физики полупроводников СО РАН, 2001)
  29. D.A. Woodbury, J.S. Blakemore. Phys. Rev. B, 8, 3803 (1973)
  30. H. Fritzsche. Phys. Rev., 99, 406 (1955)
  31. M. Dobrowolska, K. Tivakornsasithorn, X. Liu, J.K. Furdyna, M. Berciu, K.M. Yu, W. Walukiewic. Nature Materials, 11, 444 (2012)
  32. M. Wang, K.W. Edmonds, B.L. Gallagher, A.W. Rushforth, O. Makarovsky, A. Patane, R.P. Campion, C.T. Foxon, V. Novak, T. Jungwirth. Phys. Rev. B, 87, 121301 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.