"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
Министерство образования и науки Российской Федераци, Проектная часть госзадания, 8.1751.2017/ПЧ
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативный проект, 15-02-07824_а
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативный проект, 16-07-01102_а
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), Молодежный инициативный проект, 17-37- 80008_мол_эв_а
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, Стипендия Президента РФ, СП-2015
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, Грант Президента РФ, МК-8221.2016.2
Калентьева И.Л.1, Вихрова О.В.1, Данилов Ю.А.1, Звонков Б.Н.1, Кудрин А.В.1, Дорохин М.В.1, Павлов Д.А.1, Антонов И.Н.1, Дроздов М.Н.2, Усов Ю.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: istery@rambler.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Исследовано влияние технологических параметров на селективное легирование марганцем арсенид-галлиевых гетероструктур, изготавливаемых сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения. В качестве этих параметров использованы: содержание примеси в delta-слое марганца и температура формирования структуры. Установлено, что при температуре выращивания ~ 400oC и содержании примеси не более 0.2-0.3 монослоя изготовленные структуры демонстрируют наибольшую электрическую активность и обладают ферромагнитными свойствами. Изучение выращенных структур методами спектроскопии отражения, высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и вторичной ионной масс-спектрометрии показало, что применение указанных выше условий при импульсном лазерном нанесении позволяет получать арсенид-галлиевые структуры, которые имеют хорошее кристаллическое качество, а марганец в таких структурах сосредоточен в тонком (7-8 нм) слое без существенного диффузионного размытия и сегрегации. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45092.06
  1. A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. J. Cryst. Growth, 251, 303 (2003)
  2. О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин. Письма ЖТФ, 35 (14), 8 (2009)
  3. B.N. Zvonkov, O.V. Vikhrova, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, M.V. Dorokhin, V.V. Podol'skivi, E.S. Demidov, Yu.N. Drozdov, M.V. Sapozhnikov. J. Optic. Techn., 75, 389 (2008)
  4. R.T. Blunt. CS MANTECH Conference, Vancouver, British Columbia, Canada, 59 (2006)
  5. О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 6, 51 (2012)
  6. F. Lukes, S. Gopalan, M. Cardona. Phys. Rev. B, 47 (12), 7071 (1993)
  7. T. Wojtowicz, J.K. Furdyna, X. Liu, K.M. Yu, W. Walukiewicz. Physica E, 25, 171 (2004)
  8. K.S. Burch, J. Stephens, R.K. Kawakami, D.D. Awschalom, D.N. Basov. Phys. Rev. Lett., 70, 205208 (2004)
  9. F. Matsukura, H. Ohno, T. Dietl. Handbook of Magnetic Materials, 14, 1 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.