Вышедшие номера
Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
Министерство образования и науки Российской Федераци, Проектная часть госзадания, 8.1751.2017/ПЧ
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативный проект, 15-02-07824_а
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативный проект, 16-07-01102_а
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), Молодежный инициативный проект, 17-37- 80008_мол_эв_а
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, Стипендия Президента РФ, СП-2015
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, Грант Президента РФ, МК-8221.2016.2
Калентьева И.Л.1, Вихрова О.В.1, Данилов Ю.А.1, Звонков Б.Н.1, Кудрин А.В.1, Дорохин М.В.1, Павлов Д.А.1, Антонов И.Н.1, Дроздов М.Н.2, Усов Ю.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: istery@rambler.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Исследовано влияние технологических параметров на селективное легирование марганцем арсенид-галлиевых гетероструктур, изготавливаемых сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения. В качестве этих параметров использованы: содержание примеси в delta-слое марганца и температура формирования структуры. Установлено, что при температуре выращивания ~ 400oC и содержании примеси не более 0.2-0.3 монослоя изготовленные структуры демонстрируют наибольшую электрическую активность и обладают ферромагнитными свойствами. Изучение выращенных структур методами спектроскопии отражения, высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и вторичной ионной масс-спектрометрии показало, что применение указанных выше условий при импульсном лазерном нанесении позволяет получать арсенид-галлиевые структуры, которые имеют хорошее кристаллическое качество, а марганец в таких структурах сосредоточен в тонком (7-8 нм) слое без существенного диффузионного размытия и сегрегации. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45092.06