"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах АIIIBV
Министерство образования и науки Российской Федерации, Проектная часть государственного задания вузам, 3.2637.2017/4.6
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Региональный конкурс Поволжье: инициативные, 15-42-02254-р_поволжье_а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные научные проекты, 16-07-01102-а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Мой первый грант, 16-32-00683-мол_а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Мой первый грант, 16-32-00712-мол_а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Международные научные проекты, 16-57-51045-НИФ_а
Дегтярев В.Е. 1, Хазанова C.В. 1, Конаков А.А. 1
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: DegVE@yandex.ru, khazanova@phys.unn.ru, anton.a.konakov@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

С помощью 8-зонной модели Кейна и конечно-разностной схемы с дискретизацией в координатном пространстве численно выполнены расчеты энергий подзон размерного квантования и огибающих волновых функций для квантовых ям [001] на основе полупроводников АIIIBV со структурой цинковой обманки. Исследовано влияние зонных параметров квантовой ямы, а также величины внешнего электрического поля, ориентированного вдоль направления роста структуры, на соотношение параметров спин-орбитального взаимодействия Рашба и Дрессельхауза. Показано, что в структурах GaAs/InGaAs при определенных значениях электрического поля возможно равенство параметров спин-орбитального взаимодействия, что является условием формирования устойчивых спиновых "хеликсов". Установлено также, что в симметричных ямах GaAs/InGaAs при определенных ширинах ям и химическом составе барьеров может исчезать линейное по волновому вектору спин-орбитальное взаимодействие. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45091.05
  • S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, V.V. Bel'kov, S.A. Tarasenko, M. Sollinger, D. Weiss, W. Wegscheider, W. Prettl. Nature, 417, 153 (2002)
  • J. Sinova, S.O. Valenzuela, J. Wunderlich, C.H. Back, T. Jungwirth. Rev. Mod. Phys., 87, 1213 (2015)
  • M.W. Wu, J.H. Jiang, M.Q. Weng. Phys. Reports, 493, 61 (2010)
  • J. Nitta, T. Akazaki, H. Takayanagi, T. Enoki. Phys. Rev. Lett., 78, 1335 (1997)
  • B.A. Bernevig, J. Orenstein, S.-C. Zhang. Phys. Rev. Lett., 97, 236601 (2006)
  • M.C. Luffe, J. Kailasvuori, T.S. Nunner. Phys. Rev. B, 84, 075326 (2011)
  • G. Dresselhaus. Phys. Rev., 100, 580 (1955)
  • M. Ehrhardt, T. Koprucki. Multi-Band Effective Mass Approximations (Springer, Berlin--Heidelberg, 2014)
  • P. Pffefer, W. Zawadski. Phys. Rev. B, 59, R5312 (1999)
  • М.И. Дьяконов, В.Ю. Качоровский. ФТП, 20, 178 (1986)
  • Ю.А. Бычков, Э.И. Рашба. Письма ЖЭТФ, 39, 66 (1984)
  • O. Krebs, P. Voisin. Phys. Rev. Lett., 77, 1829 (1996)
  • Ж.А. Девизорова, В.А. Волков. Письма ЖЭТФ, 98, 110 (2013)
  • M. Kammermeier, P. Wenk, J. Schliemann. Phys. Rev. Lett., 117, 236801 (2016)
  • E.O. Kane. Energy band theory. In: T.S. Moss, ed. Handbook on semiconductors (North Holland, Amsterdam, 1982) p. 193
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  • T.J. Watson, D.Z.-Y. Ting, T.C. McGilla. J. Appl. Phys., 93, 3974 (2003)
  • G. Bastard. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (Les Editions de Physique, Paris, 1988)
  • R.G. Verpek, S. Steiger, B. Witzigmann. Phys. Rev. B, 76, 165320 (2007)
  • С.В. Хазанова, В.Е. Дегтярев, Н.В. Малехонова, Д.А. Павлов, Н.В. Байдусь. ФТП, 49, 58 (2015)
  • M.P. Walser, U. Siegenthaler, V. Lechner, D. Schuh, S.D. Ganichev, W. Wegscheider, G. Salis. Phys. Rev. B, 86, 195309 (2012)
  • J. Fu, J.C. Egues. Phys. Rev. B, 91, 075408 (2015)
  • A.N. Chantis, M. van Schlifgaarde, T. Kotani. Phys. Rev. Lett., 96, 086405 (2006)
  • С.В. Хазанова, В.Н. Дегтярев, С.В. Тихов, Н.В. Байдусь. ФТП, 49, 53 (2015)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.