"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах АIIIBV
Министерство образования и науки Российской Федерации, Проектная часть государственного задания вузам, 3.2637.2017/4.6
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Региональный конкурс Поволжье: инициативные, 15-42-02254-р_поволжье_а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные научные проекты, 16-07-01102-а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Мой первый грант, 16-32-00683-мол_а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Мой первый грант, 16-32-00712-мол_а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Международные научные проекты, 16-57-51045-НИФ_а
Дегтярев В.Е. 1, Хазанова C.В. 1, Конаков А.А. 1
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: DegVE@yandex.ru, khazanova@phys.unn.ru, anton.a.konakov@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

С помощью 8-зонной модели Кейна и конечно-разностной схемы с дискретизацией в координатном пространстве численно выполнены расчеты энергий подзон размерного квантования и огибающих волновых функций для квантовых ям [001] на основе полупроводников АIIIBV со структурой цинковой обманки. Исследовано влияние зонных параметров квантовой ямы, а также величины внешнего электрического поля, ориентированного вдоль направления роста структуры, на соотношение параметров спин-орбитального взаимодействия Рашба и Дрессельхауза. Показано, что в структурах GaAs/InGaAs при определенных значениях электрического поля возможно равенство параметров спин-орбитального взаимодействия, что является условием формирования устойчивых спиновых "хеликсов". Установлено также, что в симметричных ямах GaAs/InGaAs при определенных ширинах ям и химическом составе барьеров может исчезать линейное по волновому вектору спин-орбитальное взаимодействие. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45091.05
  1. S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, V.V. Bel'kov, S.A. Tarasenko, M. Sollinger, D. Weiss, W. Wegscheider, W. Prettl. Nature, 417, 153 (2002)
  2. J. Sinova, S.O. Valenzuela, J. Wunderlich, C.H. Back, T. Jungwirth. Rev. Mod. Phys., 87, 1213 (2015)
  3. M.W. Wu, J.H. Jiang, M.Q. Weng. Phys. Reports, 493, 61 (2010)
  4. J. Nitta, T. Akazaki, H. Takayanagi, T. Enoki. Phys. Rev. Lett., 78, 1335 (1997)
  5. B.A. Bernevig, J. Orenstein, S.-C. Zhang. Phys. Rev. Lett., 97, 236601 (2006)
  6. M.C. Luffe, J. Kailasvuori, T.S. Nunner. Phys. Rev. B, 84, 075326 (2011)
  7. G. Dresselhaus. Phys. Rev., 100, 580 (1955)
  8. M. Ehrhardt, T. Koprucki. Multi-Band Effective Mass Approximations (Springer, Berlin--Heidelberg, 2014)
  9. P. Pffefer, W. Zawadski. Phys. Rev. B, 59, R5312 (1999)
  10. М.И. Дьяконов, В.Ю. Качоровский. ФТП, 20, 178 (1986)
  11. Ю.А. Бычков, Э.И. Рашба. Письма ЖЭТФ, 39, 66 (1984)
  12. O. Krebs, P. Voisin. Phys. Rev. Lett., 77, 1829 (1996)
  13. Ж.А. Девизорова, В.А. Волков. Письма ЖЭТФ, 98, 110 (2013)
  14. M. Kammermeier, P. Wenk, J. Schliemann. Phys. Rev. Lett., 117, 236801 (2016)
  15. E.O. Kane. Energy band theory. In: T.S. Moss, ed. Handbook on semiconductors (North Holland, Amsterdam, 1982) p. 193
  16. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  17. T.J. Watson, D.Z.-Y. Ting, T.C. McGilla. J. Appl. Phys., 93, 3974 (2003)
  18. G. Bastard. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (Les Editions de Physique, Paris, 1988)
  19. R.G. Verpek, S. Steiger, B. Witzigmann. Phys. Rev. B, 76, 165320 (2007)
  20. С.В. Хазанова, В.Е. Дегтярев, Н.В. Малехонова, Д.А. Павлов, Н.В. Байдусь. ФТП, 49, 58 (2015)
  21. M.P. Walser, U. Siegenthaler, V. Lechner, D. Schuh, S.D. Ganichev, W. Wegscheider, G. Salis. Phys. Rev. B, 86, 195309 (2012)
  22. J. Fu, J.C. Egues. Phys. Rev. B, 91, 075408 (2015)
  23. A.N. Chantis, M. van Schlifgaarde, T. Kotani. Phys. Rev. Lett., 96, 086405 (2006)
  24. С.В. Хазанова, В.Н. Дегтярев, С.В. Тихов, Н.В. Байдусь. ФТП, 49, 53 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.