"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе InxGa1-xAs (x>0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
Пономарев Д.С.1, Хабибуллин Р.А.1, Ячменев А.Э.1, Павлов А.Ю.1, Слаповский Д.Н.1, Глинский И.А.1,2, Лаврухин Д.В.1, Рубан О.А.1, Мальцев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Московский технологический университет (МИРЭА), Москва, Россия
Email: ponomarev_dmitr@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 21 августа 2017 г.

Приведены результаты исследований электрических и тепловых свойств фотопроводящих антенн для генерации терагерцового излучения на основе выращенного в низкотемпературном режиме GaAs (low-temperature grown GaAs, LT-GaAs) и InxGa1-xAs c повышенным содержанием индия (x>0.3). Показано, что мощность джоулева разогрева PH за счет влияния темнового тока в InxGa1-xAs в 3-5 раз превосходит аналогичную величину для LT-GaAs. Это обусловлено большой собственной проводимостью InxGa1-xAs при x>0.38. Была разработана и изготовлена теплоотводящая оснастка для фотопроводящей антенны. Результаты численного моделирования показали, что использование теплоотвода позволяет уменьшить рабочую температуру антенны на 16% для антенны на основе LT-GaAs на 40% для антенны на основе In0.38Ga0.62As и на 64% для антенны на основе In0.53Ga0.47As. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44893.8508
  • A. Rogalski, F. Sizov. Opt. Electron. Rev., 19 (3), 346 (2011)
  • Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (7), 932 (2015)
  • Р.Р. Галиев, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, Ю.В. Федоров, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. Изв. РАН. Сер. физ., 80 (4), 523 (2016)
  • A. Krotkus. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 273001 (2010)
  • D. Vignaud, J.F. Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 80 (22), 4151 (2002)
  • J.C. Delagnes, P. Mounaix, H. Nv emec, L. Fekete, F. Kadlec, P. Kuv zel, M. Martin, J. Mangeney. J. Phys. D: Appl. Phys., 42 (19), 195103 (2009)
  • R.J.B. Dietz, M. Gerhard, D. Stanze, M. Koch, B. Sartorius, M. Schell. Opt. Express, 19 (27), 122 (2011)
  • S. Preu, M. Mittendorff, H. Lu, H.B. Weber, S. Winnerl, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 101, 101105 (2012)
  • N. Chimot, J. Mangeney, P. Mounaix, M. Tondusson, K. Blary, J.F. Lampin. Appl. Phys. Lett., 89, 083519 (2006)
  • M. Suzuki, M. Tonouchi. Appl. Phys. Lett., 86, 163504 (2005)
  • F. Ospald, D. Maryenko, K. von Klitzing, D.C. Driscoll, M.P. Hanson, H. Lu, A.C. Gossard, J.H. Smet. Appl. Phys. Lett., 92, 131117 (2008)
  • B. Sartorius, H. Roehle, H. Kunzel, J. Bottcher, M. Schlak, D. Stanze, H. Venghaus, M. Schell. Opt. Express, 16, 9565 (2008)
  • M. Tani, S. Matsuura, K. Sakai, S. Nakashima. Appl. Optics, 36 (30), 7853 (1997)
  • I.S. Gregory, C.M. Tey, A.G. Cullis, M.J. Evans, H.E. Beere, I. Farrer. Phys. Rev. B, 73 (19), 195201 (2006)
  • M. Suzuki, M. Tonouchi. Appl. Phys. Lett., 86 (5), 051104 (2005)
  • M. Beck, H. Schafer, G. Klatt, J. Demsar, S. Winnerl, M. Helm, T. Dekorsy. Opt. Express, 18, 9251 (2010)
  • S.-H. Yang, M.R. Hashemi, C.W. Berry, M. Jarrahi. IEEE Trans. Tera. Sci. Technol., 4, 575 (2014)
  • C.W. Berry, M.R. Hashemi, M. Jarrahi. Appl. Phys. Lett., 104, 081122 (2014)
  • D.H. Wu, B. Graber, C. Kim, S.B. Qadri, A. Garzarella. Appl. Phys. Lett., 104, 051126 (2014)
  • W. Shi, L. Hou, Z. Liu, T. Tongue. J. Opt. Soc. Am. B, 26 (9), A107 (2009)
  • C.M. Collier, T.J. Stirling, I.R. Hristovski, J.D.A. Krupa, J.F. Holzman. Sci. Rep., 6, 23185 (2016)
  • S.-P. Han, N. Kim, H. Ko, H.-C. Ryu, J.-W. Park, Y.-J. Yoon, J.-H. Shin, D.H. Lee, S.-H. Park, S.-H. Moon, S.-W. Choi, H.S. Chun, K.H. Park. Opt. Express, 20 (16), 18432 (2012)
  • Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, А.Э. Ячменев, П.П. Мальцев, М.М. Грехов, И.Е. Иляков, Б.В. Шишкин, Р.А. Ахмеджанов. ФТП, 51 (4), 535 (2017)
  • G.B. Galiev, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, A.E. Yachmenev, A.S. Bugaev, P.P. Maltsev. Nanotechnol. Rus., 10 (7), 593 (2015)
  • Д.В. Лаврухин, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (9), 1254 (2015)
  • D.S. Ponomarev, R.A. Khabibullin, A.E. Yachmenev, P.P. Maltsev, I.E. Ilyakov, B.V. Shiskin, R.A. Akhmedzhanov. IJHSES, 25, 1640023 (2016)
  • V. Apostolopoulos, M.E. Barnes. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 374002 (2014)
  • D. McBryde, M.E. Barnes, S.A. Berry, P. Gow, H.E. Beere, D.A. Ritchie, V. Apostolopoulos. Opt. Express, 22 (3), 3235 (2014)
  • P.P. Maltsev, S.V. Redkin, I.A. Glinskiy, N.V. Poboikina, M.P. Duknovskiy, Yu.Yu. Fedorov, A.K. Smirnova, E.N. Kulikov, S.V. Shcherbakov, I.A. Leontiev, O.Yu. Kudryashov, A.S. Skripnichenko, Nanotechnol. Rus., 11 (7--8), 480 (2016)
  • J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
  • S. Mei, I. Knezevic. J. Appl. Phys., 118, 175101 (2015)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.