"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с p-n-переходами. II. Энергетическая эффективность
Кюрегян А.С.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
Email: semlab@yandex.ru
Поступила в редакцию: 21 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Впервые изучена энергетическая эффективность оптоэлектронных коммутаторов на основе высоковольтных кремниевых фотодиодов, фототранзисторов и фототиристоров, управляемых пикосекундными лазерными импульсами, при формировании импульсов напряжения на активной нагрузке RL. Показано, что при заданных значениях амплитуды UR и длительности tR импульсов существуют оптимальные величины площади приборов, энергии и коэффициента поглощения управляющего излучения, обеспечивающие максимальный общий коэффициент полезного действия коммутатора ~0.92. Все три типа коммутаторов обладают практически одинаковой эффективностью при малых tR, а при больших tR заметным преимуществом обладают фототиристоры. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44892.8495
  • А.С. Кюрегян. ФТП, 51, 8494 (2017)
  • http://www.ipgphotonics.com/category/4/Lasers
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.