Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Импульсное лазерное напыление тонких пленок AlxGa1-xAs и GaP на подложках Si для фотопреобразователей
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-08-01206 А
Министерство образования и науки Российской Федерации, госзадание, № 16.4757.2017/БЧ.
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
3Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
3Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие (до 1 мкм) пленки AlGaAs и GaP на кремниевых подложках. Проанализированы методы снижения количества структурных дефектов в полученных пленках, определено влияние механических напряжений на гетероструктуры AlGaAs/Si, GaP/Si методом комбинационного рассеяния света. Исследовано применение Al0.3Ga0.7As и GaP в качестве широкозонного окна кремниевого фотопреобразователя. Исследованы спектральные характеристики фотоэлементов на основе Al0.3Ga0.7As/Si и GaP/Si. Данные гетероструктуры могут быть использованы в качестве первого p-n-перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44216.8299
- Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38 (8) (2004)
- Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, V.D. Rumyantsev. In: Concentrator Photovoltaics, ed. by A. Luque and V. Andreev [Springer Ser. in Optical Sciences, 130, 25 (2007)]
- С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, Л.С. Лунин. Фотоэлектрические преобразователи на основе микрокристаллического и аморфного кремния (Новочеркасск, ЮРГПУ(НПИ), 2013)
- В.М. Андреев, В.А. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения (Л., Наука, 1989)
- Е.А. Емельянов, А.П. Василенко, И.Д. Лошкарев. Автономная энергетика: технический прогресс и экономика, N 34, 3 (2014)
- N. Jain, Mantu K. Hudait. Energy Harvensting and Systems, 1 (3--4), 121 (2014)
- Lei Zhao, Jianshe Lian, Yuhua Liu, Qing Jiang. Appl. Surf. Sci., 252, 8451 (2006)
- В.Н. Буримов, А.Н. Жерихин, В.Л. Попков. Квант. электрон., 23 (1), 73 (1996)
- R.S. Krishnan, N. Krishnamurthy. J. de Physique (France), 26, 633 (1965)
- М.Х. Рабаданов, А.А. Лошманов, Ю.В. Шалдин. Кристаллография, 42, 649 (1997)
- W. Hayers, R. Loudon. Scattering of Light by Crystals (John Wiley \& Sons, N.Y., 1978)
- W. Paszkowicz. Inst. of Physics, Polish Acad. ICDD Grant-in-Aid (1999)
- П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, И.А. Журбина. ФТП, 44 (2), 194 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
