Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 3 » Статья стр. 395
<<<>>>
AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287
Журавлев К.С.1,2, Малин Т.В.1, Мансуров В.Г.1, Терещенко О.Е.1,2, Абгарян К.К.3, Ревизников Д.Л.3, Земляков В.Е. 4, Егоркин В.И.4, Парнес Я.М.5, Тихомиров В.Г.5, Просвирин И.П.6
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Вычислительный центр им. А.А. Дородницына Федерального исследовательского центра "Информатика и управление" РАН, Москва, Россия
4Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
5ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
6Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
Email: vzml@rambler.ru, zhur@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 30 августа 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
PDF версия
Рассчитана конструкция AlN/GaN гетероструктур со сверхтонким AlN-барьером для нормально закрытых транзисторов. Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN с двумерным электронным газом. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1 А/мм, напряжением насыщения 1 В, крутизной до 350 мС/мм, пробивным напряжением более 60 В. В транзисторах практически отсутствуют эффекты затворного и стокового коллапса тока. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287
  1. F. Medjdoub. Gallium Nitride (GaN) Physics, Devices, and Technology (CRC Press, Taylor and Francis Group 2016)
  2. Y. Yue, J. Guo, B. Sensale-Rodriguez, G. Li, R. Wang, F. Faria, T. Fang, B. Song, X. Gao, S. Guo, T. Kosel, G. Snider, P. Fay, D. Jena, H. Xing. IEEE Electron Dev. Lett., 33, 988 (2012)
  3. Y. Yue, Z. Hu, J. Guo, B. Sensale-Rodriquez, G. Li, R. Wang, F. Faria, B. Song, X. Gao, S. Guo. Jpn. J. Appl. Phys., 52 (1), 08JN14 (2013)
  4. A. Deen, D.F. Storm, D.J. Meyer, R. Bass, S.C. Binari, T. Gougousi, K.R. Evans. Appl. Phys. Lett., 105, 093503 (2014)
  5. D. Meyer, D.A. Deen, D.F. Storm, M.G. Ancona, D.S. Katzer, R. Bass, J.A. Roussos, B.P. Downey, S.C. Binari, T. Gougousi, T. Paskova, E.A. Preble, K.R. Evans. IEEE Electron Dev. Lett., 34, 199 (2013)
  6. T. Zimmermann. IEEE Electron Dev. Lett., 29, 661 (2008)
  7. K. Shinohara, D. Regan, A. Corrion, D. Brown, Y. Tang, J. Wong, G. Candia, A. Schmitz, H. Fung, S. Kim, M. Micovic. Electron Devices Meeting Tech. Dig. (IEDM 2012), 27.2.1 (2012)
  8. K. Shinohara, D. Regan, I. Milosavljevic, A.L. Corrion, D.F. Brown, P.J. Willadsen, C. Butler, A. Schmitz, S. Kim, V. Lee, A. Ohoka, P.M. Asbeck, M. Micovic. IEEE Electron Dev. Lett., 32, 1074 (2011)
  9. F. Medjdoub, M. Zegaoui, D. Ducatteau, N. Rolland, P.A. Rolland. IEEE Electron Dev. Lett., 32, 874 (2011)
  10. N. Herbecq, I. Roch-Jeune, N. Rolland, D. Visalli, J. Derluyn, S. Degroote, M. Germain, F. Medjdoub. Appl. Phys. Express, 7 (3), 034103 (2014)
  11. C.Y. Chang, S.J. Pearton, C.F. Lo, F. Ren, I.I. Kravchenko, A.M. Dabiran, A.M. Wowchak, B. Cui, P.P. Chow. Appl. Phys. Lett., 94, 263505 (2009)
  12. A. Endoh, Y. Yamashita, K. Ikeda, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, T. Mimura. Jpn. J. Appl. Phys., 43 (4B), 2255 (2004)
  13. J. Moon, W. Shihchang, D. Wong I. Milosavljevic, A. Conway, P. Hashiwoto, M. Hu, M. Antcliffe, M. Micovic. IEEE Electron Dev. Lett., 26 (6), 348 (2005)
  14. J.W. Chung, W.E. Hoke, E.M. Chumbes, T. Palacios. IEEE Electron Dev. Lett., 31, 195 (2010)
  15. X. Hu, G. Simin, J. Yang, M.A. Khan, R. Ciaska, M.S. Shur. IEEE Electron Lett., 36 (13), 753 (2000)
  16. Y. Cai, Y. Zhou, K.M. Lau, K.J. Chen. IEEE Trans. Electron Dev., 53 (9), 2207 (2006)
  17. M. Kuroda, H. Ishida, T. Ueda, T. Tanaka. J. Appl. Phys., 102, 093703 (2007)
  18. К.К. Абгарян, Д.Л. Ревизников. ЖВМ и МФ, 1, 155 (2016)
  19. K.K. Abgaryan, I.V. Mutigullin, D.L. Reviznikov. Phys. Status Solidi C, 12 (12), 1376 (2015)
  20. A. Slepko, J. Ramdani, A.A. Demkov. J. Appl. Phys., 113, 013707 (2013)
  21. C.G. Van de Walle, J. Neugebauer. Nature, 423, 626 (2003)
  22. Yu Cao, D. Jena. Appl. Phys. Lett., 90, 182112 (2007)
  23. Д.Ю. Протасов, Т.В. Малин, А.В. Тихонов, А.Ф. Цацульников, К.С. Журавлев. ФТП, 47 (1), 36 (2013)
  24. В.Г. Тихомиров, В.Е. Земляков, В.В. Волков, Я.М. Парнес, В.Н. Вьюгинов, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов. ФТП, 50, 245 (2016)
  25. S. Vitanov, V. Palankovski, S. Maroldt, R. Quay. Sol. Electron, 54, 1105 (2010)
  26. J.R. Shealty, T.R. Prunty, E.M. Chumbes, B.K. Ridley. J. Cryst. Growth, 250 (1--2), 7 (2003)
  27. R. Swain, K. Jena, T.R. Lenka. ФТП, 50, 388 (2016)
  28. K. Zhuravlev, T. Malin, S. Trubina, S. Erenburg, L. Dobos, B. Pecz, V. Davydov, A. Smirnov, R. Kyutt. Phys. Status Solidi C, 10 (3), 311 (2013)
  29. K. Zhuravlev, I. Alexandrov, T. Malin, V. Mansurov, S. Trubina, S. Erenburg, L. Dobos, B. Pecz. Int. Conf. on Manipulation, Manufacturing \& Measurement on the Nanoscale (3M-NANO, Taiwan, Taipei, 2014) p. 100 (2014)
  30. К.С. Журавлев, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, Я.М. Парнес. 25-я Междунар. конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь, Крым, Россия, 2015) т. 2, с. 598 (2015)
  31. D. Briggs, M.P. Seah. Practical Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy (Wiley, N. Y., 1983) p. 187
  32. G. Meneghesso, G. Verzellesi, F. Danesin, F. Rampazzo, F. Zanon, A. Tazzoli, M. Meneghini, E. Zanoni. IEEE Dev. Mater. Reliability, 8 (2), 332 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme