Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p+-n0-n+-диодов в режиме лавинного пробоя
ОЭММПУ РАН , Силовая полупроводниковая электроника на основе кремния, карбида кремния, нитридов галлия и алюминия
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru, potapov@mail.ioffe.ru, tpsam@mail.ioffe.ru, grekhov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 августа 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
Изготовлены 4H-SiC p+-n0-n+-диоды с однородным лавинным пробоем при напряжении 1860 В. В лавинном режиме измерены импульсные вольт-амперные характеристики диодов до плотности тока 4000 А/см2. Показано,что напряжение лавинного пробоя растет при повышении температуры. Определены лавинное сопротивление диодов (8.6· 10-2 Ом·см2), скорость дрейфа электронов в n0-базе при полях выше 106 В/см (7.8· 106 см/c), относительный температурный коэффициент напряжения пробоя (2.1·10-4 K-1). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44214.8385
- T. Basler, R. Rupp, R. Gerlach, B. Zippelius, M. Draghici. Int. Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM Europe 2016, Nurnberg, Germany, 10--12 May 2016), 1 (2016)
- A. Konstantinov, S. Jinman, S. Young, B. Lee, F. Allerstam, T. Neyer, S. Akram. Mater. Sci. Forum, 858, 777 (2016)
- A. Fayyaz, L. Yang, M. Riccio, A. Castellazzi, A. Irace. Microelectron. Reliab., 54, 2185 (2014)
- R.A. Berechman, M. Skowronski, S. Soloviev, P. Sandvik. J. Appl. Phys., 107, 114504 (2010)
- F. Yan, J.H. Zhao, G.H. Olsen. SSE, 44 (2), 341 (2000)
- K.V. Vassilevski, A.V. Zorenko, K. Zekentes. Electron. Lett., 37 (7), 466 (2001)
- A.O. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, U. Lindefelt. Appl. Phys. Lett., 71 (1), 90 (1997)
- A.O. Konstantinov, N. Nordell, Q. Wahab, U. Lindefelt. Appl. Phys. Lett., 73 (13), 1850 (1998)
- K.V. Vassilevski, K. Zekentes, A.V. Zorenko, L.P. Romanov. IEEE Electron Dev. Lett., 21 (10), 485 (2000)
- П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова. ФТП, 39 (12), 1475 (2005)
- T. Kimoto, J.A. Cooper. Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices, and applications (Wiley-IEEE Press; 1 ed-n, 2014)
- Breakdown Phenomena in Semiconductors and Semiconductor Devices. Selected Topics in Electronics and Systems, ed. by M. Levinshtein, J. Kostamovaara, S. Vainshtein, v. 36, p. 224 (2005)
- А.С. Тагер, В.М. Вальд-Перлов. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М., Сов. радио, 1968
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2
- П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, И.В. Грехов. ФТП, 50 (7), 900 (2016)
- M. Hjelm, H.-E. Nilsson, A. Martinez, K.F. Brennan, E. Bellotti. Appl. Phys., 93, 1099 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
