"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Усилительные свойства "тонких" упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
Новиков И.И.1,2, Карачинский Л.Я.1,2, Колодезный Е.С.2, Бугров В.Е.2, Курочкин А.С.1,2, Гладышев А.Г.1,2, Бабичев А.В.1,2, Гаджиев И.М.2,3, Буяло М.С.2,3, Задиранов Ю.М.3, Усикова А.А.3, Шерняков Ю.М.3, Савельев А.В.2, Няпшаев И.А.2, Егоров А.Ю.1,2
1ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: anton@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Представлены результаты экспериментального исследования усилительных свойств тонких", толщиной 3.2 нм, упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм. Результаты исследования пороговых и усилительных характеристик полосковых лазерных диодов с активными областями на основе тонких" квантовых ям со степенью рассогласования параметра кристаллической решетки с материалом подложки +1.0% показали, что исследуемые квантовые ямы демонстрируют высокое значение коэффициента модового усиления - 11 см-1 и низкое значение плотности тока прозрачности - 46 А/см2 на одну квантовую яму.
  1. G.E. Keiser. Opt. Fiber Technol., 5, 3 (1999)
  2. H. Temkin, T. Tanbun-Ek, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 56, 1210 (1990)
  3. G. Liu, S.L. Chuang. IEEE J. Quant. Electron., 37, 1283 (2001)
  4. P.J.A. Thijs, L.F. Dongen, P.I. Tiemeijer, J.J. Kuindersma, M. Binsma, T. Van Dongen. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1426 (1991)
  5. I. Suemune. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1149 (1991)
  6. Z.C. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 59, 3230 (1991)
  7. A.V.Babichev, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, L.Y. Karachinsky, A.Yu. Egorov. Mater Physics and Mechanics, 24, 284 (2015)
  8. H. Hillmer, A. Greiner, F. Steinhagen, R. Losch, W. Schlapp, E. Binder, T. Kuhn, H. Burkhard. In: Hot Carriers Semicond. (Springer US, N. Y., 1996), p. 583
  9. А.Е. Жуков. Современные инжекционные лазеры (СПб., Изд-во Политехн. ун-та, 2009)
  10. S. Krishnamurthy, Z.G. Yu, L.P. Gonzalez, S. Guha. J. Appl. Phys., 109, 033102 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.