Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 15-32-20238

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-29-03111-офи-м

Зубов Ф.И.^1,2, Крыжановская Н.В.^2,1, Моисеев Э.И.¹, Полубавкина Ю.С.¹, Симчук О.И.¹, Кулагина М.М.³, Задиранов Ю.М.³, Трошков С.И.³, Липовский А.А.^2,1, Максимов М.В.^3,2,1, Жуков А.Е.^1,2

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: zhukale@gmail.com

Поступила в редакцию: 18 апреля 2016 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектральные, пороговые и мощностные характеристики микродискового лазера диаметром 31 мкм с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации при комнатной температуре. Минимальное значение пороговой плотности тока составило 0.58 кА/см², допороговая ширина линий излучения мод шепчущей галереи составляет 50 пм при длине волны, лежащей в диапазоне 1.26-1.27 мкм. Полная излучаемая в свободное пространство мощность достигает в непрерывном режиме около 0.1 мВт, при этом мощность излучения мод шепчущей галереи составляет около 2.8%.

M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.M. Nadtochiy, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.A. Bogdanov, Z.F. Sadrieva, A.E. Zhukov, A.A. Lipovskii, D.V. Karpov, J. Laukkanen, J. Tommila. Nanoscale Res. Lett., 9, 657 (2014)
E. Peter, P. Senellart, D. Martrou, A. Lema\^i tre, J. Hours, J.M. Gerard, J. Bloch. Phys. Rev. Lett., 95, 067401 (2005)
E. Stock, F. Albert, C. Hopfmann, M. Lermer, C. Schneider, S. Hofling, A. Forchel, M. Kamp, S. Reitzenstein. Advanced Mater., 25, 707 (2013)
А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш. ФТП, 46 (10), 1249 (2012)
N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.V. Kudashova, F.I. Zubov, A.A. Lipovskii, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, Yu.M. Zadiranov, D.A. Livshits, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51, 1354 (2015)
J. Van Campenhout, P. Rojo-Romeo, P. Regreny, C. Seassal, D. Van Thourhout, S. Verstuyft, L. Di Cioccio, J.-M. Fedeli, C. Lagahe, R. Baets. Opt. Express, 15, 6744 (2007)
D. Liang, M. Fiorentino, S. Srinivasan, J.E. Bowers, R.G. Beausoleil. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 17, 1528 (2011)
S.L. Mc Call, A.F.J. Levi, R.E. Slusher, S.J. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 60, 289 (1992)
M. Borselli, T.J. Johnson, O. Painter. Opt. Express, 13, 1515 (2005)
M.T. Hill, S. Anantathanasarn, Y. Zhu, Y.-S. Oei, P.J. van Veldhoven, M.K. Smit, R. Notzel. IEEE Phot. Techn. Lett. 20, 446 (2008)
K. Srinivasan, M. Borselli, O. Painter, A. Stintz, S. Krishna. Opt. Express, 14, 1094 (2006)
Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, С.А. Блохин, М.А. Бобров, М.М. Кулагина, С.И. Трошков, Ю.М. Задиранов, А.А. Липовский, Э.И. Моисеев, Ю.В. Кудашова, Д.А. Лившиц, В.М. Устинов, А.Е. Жуков. ФТП, 50 (3), 393 (2016)
M. Munsch, J. Claudon, N.S. Malik, K. Gilbert, P. Grosse, J.-M. Gerard, F. Albert, F. Langer, T. Schlereth, M.M. Pieczarka, S. Hofling, M. Kamp, A. Forchel, S. Reitzenstein. Appl. Phys. Lett., 100, 031111 (2012)
Yu.S. Polubavkina, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, M.M. Kulagina, I.S. Mukhin, F.E. Komissarenko, Yu.M. Zadiranov, M.V. Maximov, A.E. Krasnok, А.А. Bogdanov, A.E. Zhukov. 3rd Int. School and Conf. on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (SPb OPEN 2016) (Saint Petersburg, Russia, March 28-30, 2016, Book of abstracts, p. 422.)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель