"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si3N4 in situ
Министерство образования и науки РФ , No 14.607.21.0011, уникальный идентификатор проекта RFMEFI60714X0011
Томош К.Н. 1, Павлов А.Ю. 1, Павлов В.Ю. 1, Хабибуллин Р.А. 1, Арутюнян С.С. 1, Мальцев П.П. 1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: sky77781@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 21 сентября 2016 г.

В работе подобран оптимальный режим плазмохимического травления в среде C3F8/O2 пассивирующего слоя Si3N4 in situ при изготовлении HEMT AlGaN/AlN/GaN. Установлено, что напряжение смещения на высокочастотном электроде 40-50 В обеспечивает анизотропное травление диэлектрика через резистную маску и не вносит заметных радиационных дефектов при перетраве пленок диэлектрика в области формирования затворной металлизации. Для оценки влияния роста Si3N4 in situ вместе с гетероструктурой в одном процессе на характеристики HEMT AlGaN/AlN/GaN были изготовленные транзисторы с затворами без диэлектрика и с затворами через щели в Si3N4. Показано, что при наличии Si3N4 максимальный ток стока HEMT AlGaN/AlN/GaN при 0 В на затворе в 1.5 раза выше, чем без Si3N4.
  • М. Гольцова. Электроника. Наука. Технология. Бизнес, 4, 86 (2012)
  • L. Lugani, J.-F. Carlin, M.A. Py, N. Grandjean. Appl. Phys. Lett., 105, 3 (2014)
  • J. Derluyn, S. Boeykens, K. Cheng, R. Vandersmissen. J. Appl. Phys., 98, 054501 (2005)
  • П.А. Юнин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, А.И. Охапкин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. ФТП, 49 (11), 1469 (2015)
  • A. Alexewicz, M. Alomari, D. Maier, H. Behmenburg, C. Giesen, M. Heuken, D. Pogany, E. Kohn, G. Strasser. Solid-State Electron., 89, 207 (2013)
  • M.J. Tadjer, J.T. Anderson, K.D. Hobart, M.A. Mastro, J.K. Hite, J.D. Caldwell, Y.N. Picard, F.J. Kub. J. Electron. Mater., 39 (11), 2452 (2010)
  • B. Heying, I.P. Smorchkova, R. Coffie, V. Gambin, Y.C. Chen, W. Sutton, T. Lam, M.S. Kahr, K.S. Sikorski, M. Wojtowicz. Electron. Lett., 43 (14), 789 (2007)
  • M. Germain, J. Derluyn, M. Van Hove, F. Medjdoub, J. Das, D. Marcon, S. Degroote, K. Cheng, M. Leys, D. Visalli, P. Srivastava, K. Geens, J. Viaene, B. Sijmus, S. Decoutere, G. Borghs. CS MANTECH Conf. (2010) 225 p
  • A. Fontser`ea, A. Perez-Tomasa, P. Godignona, J. Millana. Solid-State Dev. Research Conf. (ESSDERC) (2012) 306 p
  • X. Lu, J. Ma, H. Jiang, K.M. Lau. Appl. Phys. Lett., 104, 032903 (2014)
  • В.Г. Мокеров, А.Л. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Е.Н. Овчаренко, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. ФТП, 43 (4), 561 (2009)
  • К.Н. Томош. Нано- и микросистемная техника, 5, 47 (2013)
  • Y.X. Li, P.J. French, R.F. Wolffenbuttel. J. Vac. Sci. Technol., 13 (5), 2008 (1995)
  • B.E. Kastenmeier, P.J. Matsuo, J.J. Beulens, G.S. Oehrleinb. J. Vac. Sci. Technol., 14 (5), 2802 (1996)
  • J. Shim, A. Miyao, H. Sakurai, K. Matsushita, K. Onodera, K. Takaki, H. Kawasaki. J. Electrochem. Soc., 156 (1), 68 (2009)
  • В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35 (7), 769 (2001)
  • Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
  • Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, И.С. Васильевский, В.А. Кульбачинский, П.Ю. Боков, Л.П. Авакянц, А.В. Червяков, П.П. Мальцев. ФТП, 47 (9), 1215 (2013)
  • G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, E.A. Klimov, D.S. Ponomarev, R.A. Khabibullin, V.A. Kulbachinskii, D.V. Gromov, P.P. Maltsev. Lithuan. J. Phys., 55 (4), 249 (2015).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.