Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования
РФФФИ, 15-02-05272
ОНИТ РАН, программы фундаментальных исследований
Министерство образования и науки Российской Федерации, 02.В.49.21.0003
1Институт систем обработки изображений РАН, Самара, Россия 
2Самарский государственный аэрокосмический университет им. академика С.П. Королeва (национальный исследовательский университет), Самара, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Самарский государственный аэрокосмический университет им. академика С.П. Королeва (национальный исследовательский университет), Самара, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mst@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 17 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.
Изложена технология изготовления фотонно-кристаллического резонатора, выполненного в виде группы отверстий на кремниевом полосковом волноводе, сформированных методом ионно-лучевого травления. Исследован паразитный эффект, связанный с конусностью отверстий, возникающий при их формировании по данной технологии. Путем численного моделирования показано, что уменьшение добротности резонатора вследствие конусности отверстий можно компенсировать с учетом их объема. Выполнен анализ влияния толщины волновода на значения резонансной длины волны и добротность фотонно-кристаллического резонатора.
- T. Baba. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3 (3), 808 (1997)
- P. Pottier, C. Seassal, X. Letartre, J.L. Leclercq, P. Viktorovitch, D. Cassagne, C. Jouanin. J. Lightwave Technol., 17 (11), 2058 (1999)
- B.E. Little, S.T. Chu, H.A. Haus, J. Foresi, J.P. Laine. J. Lightwave Technol., 15 (6), 998 (1997)
- Y. Yamamoto, R.E. Slusher. In: Confined Electrons and Photons: New Physics and Applications, ed. by E. Burstein, C. Weisbuch, NATO ASI Series, v. 340 (New York, Springer US, 1995) p. 871
- D. Labilloy, H. Benisty, C. Weisbuch, T.F. Krauss, V. Bardinal, U. Oesterle. Electron. Lett., 33 (23), 1978 (1997)
- M.M. Beaky, J.B. Burk, H.O. Everitt, M. Haider, S. Venakides. IEEE Trans. Microw. Theory Techn., 47 (11), 2085 (1999)
- O. Painter, R.K. Lee, A. Scherer, A. Yariv, J.D. O'Brien, P.D. Dapkus, I. Kim. Science, 284, 1819 (1999)
- E. Chow, S.Y. Lin, S.G. Johnson, P.R. Villeneuve, J.D. Joannopoulos, J.R. Wendt, G.A. Vawter, W. Zubrzycki, H. Hou, A. Alleman. Nature, 407, 983 (2000)
- Н.Л. Казанский, П.Г. Серафимович, С.Н. Хонина. Компьютерная оптика, 36 (2), 199 (2012)
- N.L. Kazanskiy, P.G. Serafimovich. Opt. Express, 22 (11), 14004 (2014)
- N.L. Kazanskiy, P.G. Serafimovich, S.N. Khonina. Appl. Optics, 52 (23), 5830 (2013)
- Н.Л. Казанский, П.Г. Серафимович, С.Н. Хонина. Компьютерная оптика, 36 (4), 127 (2012)
- K. Yee. IEEE Trans. Antennas Propag., 14 (3), 302 (1966)
- A. Taflove. Computational Electrodynamics (Norwood, MA, Artech House, 1995)
- W.C. Hopman, F. Ay, W. Hu, V.J. Gadgil, L. Kuipers, M. Pollnau, R.M. de Ridder. Nanotechnology, 18 (19), 195 305 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
