Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Двухслойная диэлектрическая маска Si3N4/SiO2 для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия 
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Email: spartakmain@gmail.com
Поступила в редакцию: 21 января 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.
Описана технология формирования двухслойной диэлектрической маски Si3N4/SiO2 и особенности ее использования в технологии невжигаемых эпитаксиально дорощенных омических контактов для мощных HEMT на гетероструктурах AlGaN/GaN. Предложенная маска Si3N4/SiO2 позволяет производить эпитаксиальное доращивание сильно легированных омических контактов методом нитридной молекулярно-лучевой эпитаксии и получать невжигаемые омические контакты с удельным сопротивлением 0.15-0.2 Ом · мм и с гладкой морфологией поверхности и края.
- В.Г. Мокеров, А.Л. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Е.Н. Овчаренко, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. ФТП, 43 (4), 561 (2008)
- J. Huang, M. Li, C. Tang, K. Lau. Chinese Physics B, 23 (12), (2014)
- A. Subramaniam, I.N. Geok, R. Kumud, M.M.K. Chandra, C.F. Siew, S.A. Kian, V. Sahmuganathan, B.D. Surani, B. Thirumaleshwaraxcc, T. Sudhiranjan. Jpn. J. Appl. Phys., 54, 04DF12 (2015)
- И.М. Аболдуев, Н.Б. Гладышева, А.А. Дорофеев, Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев. Тез. докл. 10-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы", под ред. А.В. Сахарова, В.Г. Сидорова (СПб., Россия, СПбГПУ, 2015) с. 140
- М. Гольцова. Электроника: НТБ, 4, 86 (2012)
- S. Dasgupta, Nidhi, D.F. Brown, F. Wu, S. Keller, J.S. Speck, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 96, 143 504 (2010)
- J.G. Felbinger, M. Fagerlind, O. Axelsson, N. Rorsman, X. Gao, S. Guo, W.J. Schaff, L.F. Eastman. IEEE Electron Dev. Lett., 32 (7), 889 (2011)
- Y. Yue, Z. Hu, J. Guo, B. Sensale-Rodrigez, G. Li, R. Wang, F. Faria, T. Fang, B. Song, X. Gao, S. Guo, T. Kosel, G. Sinder, P. Fay, J. Debdeep, H. Xing. IEEE Electron Dev. Lett., 33 (7), 988 (2012)
- Nidhi, D.F. Brown, S. Keller, U.K. Mishra. Jpn. J. Appl. Phys., 49, 021 005 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
