"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сравнение характеристик солнечных элементов, изготовленных из мультикристаллического кремния, и кремния полученного по технологии monolike
Бетекбаев А.А.1, Мукашев Б.Н.1, Pelissier L.2, Lay P.2, Fortin G.2, Bounaas L.2, Скаков Д.М.1, Калыгулов Д.А.1, Турмагамбетов Т.С.1, Ли В.В.3
1ТОО "МК KazSilicon", Бастобе, Казахстан
2ECM Greentech, Гренобль, Франция
3ТОО Kazakhstan Solar Silicon, Усть-Каменогорск, Казахстан
Email: abetekbaev@kazatomprom.kz
Поступила в редакцию: 17 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

В целях повышения эффективности солнечных элементов и снижения затрат на производство был разработан процесс получения слитков кремния по так называемой технологии monolike. Новые технологии, использующие кремний "солнечного" качества, позволяют производить солнечные элементы при меньших затратах с высоким коэффициентом преобразования солнечной энергии. Именно поэтому процесс monolike был протестирован и оптимизирован для казахстанского кремния "солнечного" качества. Целью данной работы было сравнение характеристик солнечных элементов, полученных из кремния monolike, с солнечными элементами, созданными из мультикристаллического кремния, полученного методом направленной кристаллизации. Для исследования были выращены слитки мультикристаллического кремния в промышленных масштабах и при использовании казахстанского кремния, созданы солнечные элементы и исследованы характеристики полученных слитков кремния и солнечных элементов.
  1. A. Luque, S.S. Hegedus. Handbook of photovoltaic science and engineering (John Wiley \& Sons Ltd)
  2. F. Kirscht, M. Heuer, M. Kas, J.-P. Rakotoniaina, T. Jester. Metallurgically Refined Silicon for Photovoltaics. Proc. CSSC-6 (Aixles-Bains, France, 2012)
  3. B.N. Mukashev, A.A. Betekbaev, D.A. Kalygulov, I. Pellegrin, A.A. Pavlov, D.M. Skakov, Zh. Bektemirov. Eurasian Chem, Technol. J., 16, 307 (2014)
  4. Б.Н. Мукашев, А.А. Бетекбаев, Д.А. Калыгулов, А.А. Павлов, Д.М. Скаков. ФТП, 49 (10), 1421 (2015)
  5. А. Бетекбаев, Б. Мукашев, Л. Пеллисер, Ф. Лай, Г. Фортин, Л. Бунас, Д. Скаков, А. Павлов, В. Ли. Материалы электронной техники, (МИСИС, Москва, 2016)
  6. G. Coletti, P.C.P. Bronsveld, G. Hahn, W. Warta, D. Macdonald, B. Ceccaroli, K. Wambach, N.L. Quang, J.M. Fernandez. Adv. Funct. Mater., 21, 879 (2011)
  7. A.A. Betekbaev, B.N. Mukashev, K. Ounadjela, A.A. Pavlov, I. Pellegrin, V.S. Shcolnik. 24th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells \& Modules: Materials and Processes (Breckenridge, Colorado, USA, 2014) p. 101
  8. K.A. Jackson. In: Crystal Growth --- From Fundamentals to Technology, ed. by G. Mulller, J.-J. Metois, P. Rudolph (Elsevier, Amsterdam, 2004) p. 27
  9. M. Trempa et al. J. Cryst. Growth, 351, 131 (2012)
  10. K. Bothe, J. Schmidt. J. Appl. Phys., 99, 013 701 (2006)
  11. H. Savin, M. Yli-Koski, A. Haarahiltunen. Appl. Phys. Lett., 95, 152 111 (2009)
  12. T. Turmagambetov, S. Dubois, J.-P. Garandet, B. Martel, N. Enjalbert, J. Veirman, E. Pihan. Phys. Status Solidi C, 11, 1697 (2014)
  13. S. Dubois, N. Enjalbert, J.P. Garandet, R. Monna, J. Kraiem. Proc. 23th EU PVSEC (Valencia, Spain, 2008) p. 1437
  14. M. Cascant, N. Enjalbert, R. Monna, S. Dubois. Proc 29th EU PVSEC (Munich, Germany, 2014) p. 2570

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.