Впервые найдено численное решение задачи о переходных процессах в резонансно-туннельном диоде (РТД) при наличии гистерезиса вольт-амперной характеристики (ВАХ) в рамках когерентной модели (Шредингер-Пуассон) с ферми-распределением электронов. Детально изучены переходы из состояния с большим током в состояние с малым и наоборот, которые возможны благодаря гистерезису ВАХ и имеют важное практическое значение при использовании резонансно-туннельных диодов в качестве сверхбыстрых переключателей. Показано, что времена перехода для таких процессов, возникающие под действием малого напряжения, могут значительно превосходить характерное h/Gamma, Gamma - ширина резонансного уровня. Удалось впервые установить, что время перехода можно уменьшить до характерного h/Gamma, если приложить напряжение больше, чем V_c. Для рассмотренной в статье структуры РТД V_c~0.01 В.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.