Времена перехода резонансно-туннельного диода между экстремальными точками гистерезисной вольт-амперной характеристики
Гришаков К.С.
1, Елесин В.Ф.
11Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: ksgrishakov@yahoo.com, vfelesin@mephi.ru
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.
Впервые найдено численное решение задачи о переходных процессах в резонансно-туннельном диоде (РТД) при наличии гистерезиса вольт-амперной характеристики (ВАХ) в рамках когерентной модели (Шредингер-Пуассон) с ферми-распределением электронов. Детально изучены переходы из состояния с большим током в состояние с малым и наоборот, которые возможны благодаря гистерезису ВАХ и имеют важное практическое значение при использовании резонансно-туннельных диодов в качестве сверхбыстрых переключателей. Показано, что времена перехода для таких процессов, возникающие под действием малого напряжения, могут значительно превосходить характерное h/Gamma, Gamma - ширина резонансного уровня. Удалось впервые установить, что время перехода можно уменьшить до характерного h/Gamma, если приложить напряжение больше, чем Vc. Для рассмотренной в статье структуры РТД Vc~0.01 В.
- S.K.Diamond, E. Ozbay, M.J.W. Rodwell, D.M. Bloom, Y.C. Pao, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 54 (2), 153 (1989)
- H.C. Liu, D.D. Coon. Appl. Phys. Lett., 50, 1246 (1987)
- O. Pinaud. J. Appl. Phys., 92 (4), 1987 (2002)
- J.F. Mennemann, A. Jungel, H. Kosina. J. Comp. Phys., 239, 187 (2013)
- В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев, А.Ю. Сукочев. Российские нанотехнологии, 8 (3-4), 60 (2013)
- В.Ф. Елесин. ЖЭТФ, 145 (6), 1078 (2014)
- К.С. Гришаков, В.Ф. Елесин. Российские нанотехнологии, 10 (5--6), 102 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
