Вышедшие номера
Динамическая теплоэлектрическая модель светоизлучающей структуры со слоем растекания тока
Сергеев В.А. 1,2, Ходаков А.М. 1
1Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Ульяновск, Россия
2Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия
Email: ufire@mv.ru
Поступила в редакцию: 3 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

Рассмотрена нестационарная теплоэлектрическая модель осесимметричной гетероструктуры светоизлучающего прибора с учетом механизмов положительной обратной связи и влияния сопротивления слоя растекания тока. С учетом эффекта локализации тока найдено неоднородное распределение плотности тока гетероперехода по площади гетероструктуры. Численно-аналитическим итерационным методом решено нестационарное уравнение теплопроводности с температурозависимой плотностью тока, втекающего в гетеропереход. На основе развитой модели найдены распределения плотности тока, температуры и термомеханических напряжений для плоскости гетероперехода.