Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности электрофизических параметров НТЛ-Si при разных режимах термообработки

Гайдар Г.П.¹, Баранский П.И.²

¹Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
²Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Email: gaydar@kinr.kiev.ua, petro.baranskii@gmail.com

Поступила в редакцию: 24 ноября 2015 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние термоотжига в области температур 800≤ T_ann≤1200^oC и двух скоростей охлаждения (_cl=1 и 15^oC/мин) на изменение концентрации носителей заряда в зоне проводимости, их подвижности, а также тензосопротивления в кристаллах n-Si как нейтронно-трансмутационно легированных, так и легированных примесью фосфора через расплав (в процессе выращивания методом Чохральского). Обнаружено, что после отжига при T_ann=1050-1100^oC во всех кристаллах (независимо от способа легирования), происходит увеличение концентрации носителей заряда в 1.3-1.7 раза по сравнению с исходной. Выявлено специфическое влияние скорости охлаждения 15^oC/мин на свойства трансмутационно легированных кристаллов n-Si<P> в зависимости от температуры их отжига.

В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. Электроника (М., Высш. шк., 1991)
З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. Справочник (М., Радио и связь, 1991)
Легирование полупроводников методом ядерных реакций, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1981)
N.A. Bickford, R.F. Fleming. Proc. 2th Int. Conf. (Columbia, Missouri, April 23--25, 1978) [ Neutron Transmutation Doping in Semiconductors, ed. by J.M. Meese (N. Y.--London, Plenum Press, 1979) p. 165]
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников, под ред. Дж. Миза (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors, еd. by J.M. Meese (N. Y.--London, Plenum Press, 1979)]
В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.C. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
Е.Ф. Уваров. Радиационные эффекты в широкозонных полупроводниках A^III и В^V (М., ЦНИИ Электроника", 1978) (Обзоры по электрон. техн. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 13 (584))
Neutron Transmutation Doping of Silicon at Research Reactors. IAEA-TECDOC-1681 (International Atomic Energy Agency, Vienna, 2012)
П.И. Баранский, А.А. Бугай, В.А. Гирий, Э.C. Фалькевич, В.И. Шаховцов. Препринт N 28 Ин-та физики АН УССР, Киев (1984)
I.S. Shlimak. Phys. Solid State, 41 (5), 716 (1999)
К. Ларк-Горовиц. В кн.: Полупроводниковые материалы, под ред. В.М. Тучкевича (М., ИЛ, 1954) с. 62
Л.А. Коледов. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок (М., Радио и связь, 1989)
Л.А. Коледов. Конструирование и технология микросхем (М., Высш. шк., 1984)
А.И. Курносов, В.В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (М., Высш. шк., 1986)
G.P. Gaidar, P.I. Baranskii. Physica B, 441, 80 (2014)
П.И. Баранский, В.В. Коломоец, А.В. Федосов, В.П. Шаповалов. ФТП, 15 (5), 864 (1981)
P. Capper, A.W. Jones, E.J. Wallhouse, J.G. Wilkes. J. Appl. Phys., 48 (4), 1646 (1977)
M. Suezawa, K. Sumino. Phys. Status Solidi A, 82 (1), 235 (1984)
B.J. Heijmink Liesert, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 46 (4), 2034 (1992)
S.I. Budzulyak, Yu.P. Dotsenko, V.M. Ermakov, V.V. Kolomoets, E.F. Venger. Physica B, 308--310, 325 (2001)
В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния (Киев, Интерпресс ЛТД, 1997)
R.C. Newman. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18 (30), L967 (1985)
U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. A, 28 (2), 79 (1982)
E.P. Neustroev, I.V. Antonova, V.P. Popov, D.V. Kilanov, A. Misiuk. Physica B, 293 (1--2), 44 (2000)
A. Kanamori, M. Kanamori. J. Appl. Phys., 50 (12), 8095 (1979)
P.I. Baranskii, V.M. Babich, N.P. Baran, Yu.P. Dotsenko, V.B. Kovalchuk, V.A. Shershel. Phys. Status Solidi A, 78 (2), 733 (1983).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель