"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм
Крыжановская Н.В.1, Максимов М.В.1,2, Блохин С.А.2, Бобров М.А.2,3, Кулагина М.М.2, Трошков С.И.2, Задиранов Ю.М.2, Липовский А.А.1,3, Моисеев Э.И.1, Кудашова Ю.В.1, Лившиц Д.А.4, Устинов В.М.2, Жуков А.Е.1,3,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, России
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Innolume GmbH, Dortmund, Germany
5Санкт-Петербургский научный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

Реализованы инжекционные микродисковые лазеры на подложках GaAs с минимальным диаметром 15 мкм и активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре без принудительного охлаждения. Длина волны генерации составила ~1.27 мкм, минимальный пороговый ток 1.6 мА. Удельное тепловое сопротивление оценено равным 5·10-3oС·см2/Вт.
  • K.J. Vahala. Nature, 424, 839 (2003)
  • S.L. McCall, A.F.J. Levi, R.E. Slusher, S.J. Pearton, R.A. Logan. Appl. Phys. Lett., 60, 289 (1992)
  • M.V. Maximov, B.V. Volovik, C.M. Sotomayor Torres, E.M. Ramushina, V.I. Skopina, E.M. Tanklevskaya, S.A. Gurevich, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Phys. Status Solidi A, 188, 955 (2001)
  • D. Ouyang, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 18, L53 (2003)
  • H. Cao, J.Y. Xu, W.H. Xiang, Y. Ma, S.-H. Chang, S.T. Ho, G.S. Solomon. Appl. Phys. Lett., 76, 3519 (2000)
  • T. Kaplas, Yu. Svirkо. J. Nanophoton., 6, 061 703 (2012)
  • Y.-H. Kim, S.-H. Kwon, J.M. Lee, M.-S. Hwang, J.-H. Kang, W.I. Park, H.-G. Park. Nature Commun., 3, 1123 (2012)
  • M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.M. Nadtochiy, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.A. Bogdanov, Z.F. Sadrieva, A.E. Zhukov, A.A. Lipovskii, D.V. Karpov, J. Laukkanen, J. Tommila. Nanoscale Res. Lett., 9, 657 (2014)
  • N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.M. Nadtochiy, Yu.V. Kudashova, A.A. Lipovskii, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov. IEEE J. Selec. Topics Quant. Electron., in print (2015)
  • M.-H. Mao, H.-C. Chien, J.-Z. Hong, C.-Y. Cheng. Opt. Express, 19, 14145 (2011)
  • M. Munsch, J. Claudon, N.S. Malik, K. Gilbert, P. Grosse, J.-M. Gerard, F. Albert, F. Langer, T. Schlereth, M.M. Pieczarka, S. Hofling, M. Kamp, A. Forchel, S. Reitzenstein. Appl. Phys. Lett., 100, 031 111 (2012)
  • A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 14, 575 (1999)
  • М.Л. Городецкий. Оптические микрорезонаторы с гигантской добротностью (М., Физматлит, 2011)
  • A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.A. Lipovskii, I.S. Mukhin, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.V. Savel'ev, A.A. Bogdanov, D.V. Karpov, J. Laukkanen, J. Tommila, D. Livshits. Int. Nano-Optoelectronics Workshop, NOW (St. Petersburg \& Luge, Russia, 2014)
  • T. Ide, T. Baba, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, T. Nakaoka, Y. Arakawa. Opt. Express, 13, 1615 (2005)
  • А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.А. Липовский, А.В. Савельев, И.И. Шостак, Э.И. Моисеев, Ю.В. Кудашова, М.М. Кулагина, С.И. Трошков. ФТП, 49 (5), 688 (2015)
  • M. Fujita, A. Sakai, T. Baba. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 5, 673 (1999).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.