"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Переключение силовых тиристоров импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом
Гусев А.И.1,2, Любутин С.К.1, Рукин С.Н.1, Цыранов С.Н.1,2
1Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 8 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

Исследован процесс переключения силовых тиристоров из блокирующего в проводящее состояние импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом. В экспериментах использовались низкочастотные тиристоры таблеточной конструкции с рабочим напряжением 2 кВ. На основные электроды тиристора подавался внешний импульс, обеспечивающий скорость нарастания напряжения в диапазоне 0.5-6 кВ/нс. В этих условиях время перехода тиристора в проводящее состояние находилось в диапазоне 200-400 пс. Найдены эмпирические соотношения, связывающие основные характеристики процесса переключения: напряжение включения, время нарастания импульса до переключения и время перехода в проводящее состояние. Численное моделирование показало, что для объяснения полученных результатов необходим учет процесса ионизации глубоких технологических дефектов.
  1. Ю.В. Аристов, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, А.К. Козлов, С.В. Коротков, А.Г. Люблинский. ПТЭ, N 2, 87 (2007)
  2. С.В. Коротков, Ю.В. Аристов, В.Б. Воронков, А.Л. Жмодиков, Д.А. Коротков, А.Г. Люблинский. ПТЭ, N 5, 90 (2009)
  3. I.V. Grekhov, S.V. Korotkov, P.V. Rodin. IEEE Trans. Plasma Sci., PS-36 (2), 378 (2008)
  4. I.V. Grekhov. IEEE Trans. Plasma Sci., PS-38 (5), 1118 (2010)
  5. В.М. Тучкевич, И.В. Грехов. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
  6. А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. Изв. вузов. Физика, N 12/2, 152 (2014)
  7. А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, С.Н. Цыранов. ПТЭ, N 3, 65 (2015)
  8. http://www.proton-electrotex.com
  9. С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. ФТП, 46 (4), 535 (2012)
  10. А.И. Гусев, С.К. Любутин, С.Н. Рукин, Б.Г. Словиковский, С.Н. Цыранов. ФТП, 48 (8), 1095 (2014)
  11. P. Rodin, A. Rodina, I. Grekhov. J. Appl. Phys., 98, 094 506 (2005)
  12. E.V. Astrova, V.B. Voronkov, V.A. Kozlov, A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 13, 488 (1998)
  13. Г.И. Сканави. Физика диэлектриков (область сильных полей) (М., Физматлит, 1958) гл. 5, с. 141
  14. A. Minarsky, P. Rodin. J. Appl. Phys., 113, 144 512 (2013)
  15. A.F. Kardo-Sysoev. In: Ultra-wideband radar technology, ed. by J.D. Taylor (CRC Press, Boca Raton-London-N. Y.- Washington, 2001)
  16. А.Ф. Кардо-Сысоев, М.В. Попова. ФТП, 30 (5), 803 (1996)
  17. П.Б. Родин, А.М. Минарский, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 38 (11), 78 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.