"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si1-xGex: получение и некоторые свойства
Деточенко А.П.1, Денисов С.А.1,2, Дроздов М.Н.2, Машин А.И.1, Гавва В.А.3, Буланов А.Д.1,3, Нежданов А.В.1, Ежевский А.А.1, Степихова М.В.1,2, Чалков В.Ю.1, Трушин В.Н.1, Шенгуров Д.В.1,2, Шенгуров В.Г.1, Abrosimov N.V.4, Riemann H.4
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Email: shengurov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 9 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

Продемонстрирована технология выращивания слоев Si, Ge и Si1-xGex методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимационного источника моноизотопного кремния 30Si или 28Si и (или) газового источника моногермана 74GeH4. Все эпитаксиальные слои имели хорошее кристаллическое качество. Данные вторично-ионной масс-спектроскопии и комбинационного рассеяния света свидетельствуют о высокой изотопной чистоте и структурном совершенстве эпитаксиальных слоев 30Si, 28Si, 74Ge и 30Si1-x74Gex. Слои 30Si, легированные эрбием, демонстрируют эффективный сигнал фотолюминесценции.
  • K.M. Itoh, H. Watanabe. MRS Commun., 4, 143 (2014)
  • P.T. Greenland, S.A. Lynch, A.F.G. van der Meer. Nature, 465, 1057 (2010)
  • В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, С.П. Светлов, Д.В. Шенгуров. Вакуумная техника и технология, 21, 45 (2011)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.