"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Послойный анализ методом спектроскопии сечения неупругого рассеяния электронов распределения диоксида кремния по толщине в структуре SiO2/Si(111)
Паршин А.С.1, Кущенков C.А.1, Пчеляков О.П.2, Михлин Ю.Л.3
1Сибирский государственный аэрокосмический университет им. ак. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: info@sibsau.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 февраля 2016 г.

Из экспериментальных спектров сечения неупругого рассеяния отраженных электронов в диапазоне энергий первичных электронов от 300 до 3000 эВ определен профиль концентрации SiO2 в структуре SiO2/Si(111). Анализ спектров проведен с использованием предложенного алгоритма и разработанной программы компьютерного моделирования спектров сечения неупругого рассеяния отраженных электронов для слоистых структур с произвольным количеством слоев, произвольной толщины и переменной концентрацией компонентов в каждом слое. Варьированием концентраций диоксида кремния и кремния в каждом слое достигалось наилучшее согласие между расчетными и экспериментальными спектрами. Результаты могут быть использованы для профилирования структур пленка-подложка с произвольным составом компонентов.
  • A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133 (4), 666 (1986)
  • M. Herman, H. Sitter. Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and current status, 2 nd ed. (Berlin Heidelberg, Springer Verlag, 1996)
  • J. Yao, Zh. Sun, Lin Zhong, D. Natelson, J.M. Tour. Nano Lett., 10, 4105 (2010)
  • B.W. Fowler, Y.-F. Chang, F. Zhou, Y. Wang, P.-Yu. Chen, F. Xue, Y.-T. Chen, B. Bringhurst, S. Pozder, J.C. Lee. RCS Adv., 5, 21 215 (2015)
  • Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, под ред. Д. Бриггса, М. Сиха (М., Мир, 1987)
  • К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности, отв. ред. В.И. Сергиенко (М., Наука, 2006)
  • F. Yubero, S. Tougaard. Phys. Rev. B, 46 (4), 2486 (1992)
  • S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn. Surf. Interface Anal., 21, 165 (1993)
  • А.С. Паршин, С.А. Кущенков, О.П. Пчеляков, Ю.А. Михлин, Т.Х. Хасанов. Автометрия, 48 (4), 88 (2012)
  • S. Tougaard. http:// www.quases.com
  • С.А. Кущенков, А.С. Паршин, Г.А. Александрова, С.А. Ходенков. Вестн. Сибир. гос. аэрокосмического ун-та им. акад. М.Ф. Решетнева, 4 (25), 129 (2009).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.