"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/p-InSe
Орлецкий И.Г.1, Илащук М.И.1, Брус В.В.1, Марьянчук П.Д.1, Солован М.М.1, Ковалюк З.Д.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
Email: i.orletskyi@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 13 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

Исследованы условия изготовления фоточувствительных гетеропереходов TiN/p-InSe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок нитрида титана на свежесколотые монокристаллические пластины p-InSe. На основе анализа вольт-амперных характеристик установлено присутствие на гетеропереходе туннельно-тонкого высокоомного слоя In2Se3 и выяснено его влияние на электрические свойства и спектральные зависимости фоточувствительности исследованых гетероструктур. Определены основные механизмы формирования прямого и обратного токов сквозь энергетический баръер TiN/p-InSe.
  • З.Д. Ковалюк, О.Н. Сидор. В.Н. Катеринчук, В.В. Нетяга. ФТП, 41, 1074 (2007)
  • J. Martnez-Pastor, A. Segura, J.L. Valdes. J. Appl. Phys., 62, 1477 (1987)
  • С.И. Драпак, Н.С. Юрценюк, З.Д. Ковалюк. ЖТФ, 79, 71 (2009)
  • С.И. Драпак, В.В. Нетяга, З.Д. Ковалюк. Письма ЖТФ, 28, 9 (2002)
  • В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский, В.В. Хомяк, И.Г. Орлецкий, В.В. Нетяга. ФТП, 47, 935 (2013)
  • В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. ФТП, 44, 1212 (2010)
  • З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, Н.Д. Раранский. ФТП, 40, 926 (2006)
  • M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, J. Rappich, N. Nickel, S.L. Abashin. Semicond. Sci. Technol., 29, 015 007 (2014)
  • M.M. Solovan, V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, S.L. Abashin, Z.D. Kovalyuk. Semicond. Sci. Technol., 30, 075 006 (2015)
  • М.Н. Солован, В.В. Брус, Э.В. Майструк, П.Д. Марьянчук. Неорг. матер., 50, 46 (2014)
  • С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, В.Б. Орлецкий. Письма ЖТФ, 28, 1 (2002)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.В. Калашников. Физика полупроводников: учеб. пособие [для студентов физических специальностей вузов] / В.Л. Бонч-Бруевич, С.В. Калашников (М., Наука, 1977)
  • В.П. Махний, А.И. Янчук. ФТП, 37, 1435 (2003)
  • С.И. Драпак, В.Б. Орлецкий, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, В.Д. Фотий. Письма ЖТФ, 29, 86 (2003)
  • А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник, пер. с англ. под ред. В.С. Вавилова (М., Мир, 1975)
  • S. Shigetomi, H. Ohkubo, T. Ikari. J. Phys. Chem. Solids, 51, 91 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.