"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после gamma-нейтронного облучения
Тарасова Е.А.1, Хананова А.В.1, Оболенский С.В.1, Земляков В.Е.2, Свешников Ю.Н.3, Егоркин В.И.3, Иванов В.А.4, Медведев Г.В.4, Смотрин Д.С.1,4
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
3ЗАО "Элма Малахит", Зеленоград, Москва, Россия
4ОАО "НПО Салют", Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 7 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 февраля 2016 г.

Приводятся результаты экспериментального исследования параметров GaN и GaAs структур до и после gamma-нейтронного облучения. Предложен специальный набор тестовых диодов, позволяющих снизить погрешность результатов измерений параметров структур, что важно для проектирования и оптимизации конструкции полупроводниковых приборов.
  • Е.Р. Аствацатурьян, Д.В. Громов, В.М. Ломако. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия (Минск, Университетское, 1992)
  • А.В. Мурель, С.В. Оболенский, А.Г. Фефелов, Е.В. Киселева. ФТП, 38 (7), 834 (2004)
  • Е.С. Оболенская, Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский. ВАНТ, сер. Физика радиационного воздействия на аппаратуру, N 4, 9 (2012)
  • Е.В. Киселева, С.В. Оболенский, М.А. Китаев, О.В. Ткачев, В.П. Шукайло, В.Т. Громов. ПЖТФ, 31 (20), 58 (2005)
  • Ю.В. Федоров. Электроника, N 2, 92 (2011)
  • В.П. Карамышев, И.В. Мурылева. Электрон. техн., сер. Микроэлектроника, вып. 6, 26 (1984)
  • С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1981)
  • Н.В. Басаргина, И.В. Ворожцова, С.М. Дубровских, О.В. Ткачев, В.П. Шукайло, Е.А. Тарасова, А.Ю. Чурин, С.В. Оболенский. Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, N 3-1, 61 (2013)
  • Р. Цулег. Радиационные эффекты в ИC на GaAs / Арсенид галлия в микроэлектронике, под. ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена (М., Мир, 1988) с. 501
  • N.A. Sobolev. In: Handbook of Self Assembled Semiconductor Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics, ed. by M. Henini (Elsevier, Amsterdam et al., 2008) chap. 13, p. 392. 
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.