Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2ОАО Центральный научно-исследовательский институт "Электрон", Санкт-Петербург, Россия
2ОАО Центральный научно-исследовательский институт "Электрон", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.
Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы имплантированные бором кремниевые структуры для ПЗС-матриц с обратной засветкой. Исследовалась серия специально подготовленных структур с различными энергией и дозой имплантации, а также с покровными слоями из алюминия, оксида кремния и их комбинации. Экспериментально получены профили распределения основных носителей заряда по глубине исследуемых структур. Также с использованием уравнения Пуассона и уравнения Фредгольма первого рода проведен расчет распределения концентрации носителей заряда и напряженности электрического поля в структурах. На основе анализа и сопоставления теоретических и экспериментальных концентрационных профилей предложены рекомендации по оптимизации параметров структур для увеличения значения тянущего поля и уменьшения влияния поверхностного потенциала на транспорт носителей заряда.
- L. Hirvonen, S. Jiggins, N. Sergent, G. Zanda, K. Suhling. Rev. Sci. Instrum., 85, 123 102 (2014)
- M. Gruwe. Nucl. Instr. Meth. A, 387 (1), 282 (1997)
- J.C. Richard, M. Vittot. Nucl. Instr. Meth. A, 315, 368 (1992)
- R.A. Stern, R.C. Catura, R. Kimble, A.F. Davidsen, M. Winzenread, M.M. Blouke, R. Hayes, D.M. Walton, J.L. Culhane. Opt. Eng., 26 (9), 875 (1987)
- T. Ambridge, M. Faktor. J. Appl. Electrochem., 5, 319 (1975)
- V. Zubkov, O. Kucherova, D. Frolov, A. Zubkova. Phys. Status Solidi C, 10 (3), 342 (2013)
- В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (СПб., Элмор, 2007)
- F.D. Heinz, P. Gundel, W. Warta, M.C. Schubert. IEEE J. Photovolt., 3 (1), 341 (2013)
- S.P. Phang, D. Macdonald. IEEE J. Photovolt., 4 (1), 64 (2014)
- A. Kumar, H. Hidayat, C. Ke, S. Chakraborty, G.K. Dalapati, P.I. Widenborg, C.C. Tan, S. Dolmanan, A.G. Aberle. J. Appl. Phys., 114, 134 505 (2013)
- M.M. Blouke, W.A. Delamere, G. Womack. Proc. IEEE CCD Workshop (Waterloo, Canada, 1991) p. 14
- А.А. Пугачев, А.Л. Стемпковский. Сб. тр. I Всеросс. науч.-техн. конф. "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем" (М., 2010) с. 648
- Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Маляренко, Н.Б. Строкан, В.Л. Суханов, Б. Шмидт, И. Борани. ФТП, 27 (12), 2052 (1993)
- C.-M. Lee, S.-P. Chang, S.-J. Chang, C.-I. Wu. Int. J. Electrochem. Sci., 8, 7634 (2013)
- B.L. Wall, J.F. Amsbaugh, A. Beglarian, T. Bergmann, H.C. Bichsel, L.I. Bodine, N.M. Boyd, T.H. Burritt, Z. Chaoui, T.J. Corona et al. Nucl. Instr. Meth. A, 744, 73 (2014)
- D. Kapila, M. Kulkarni, C. Fernando, J. Davis, K. Vasanth, G. Pollack. Tech. Proc. 1998 Int. Conf. Modeling and Simulation of Microsystems (USA, 1998), ch. 5, p. 199
- S. Oosterhoff. Nucl. Instr. Meth., 30 (1), 1 (1988)
- J. F. Ziegler. Ion Implantation --- Science and Technology (USA, IIT Press, 2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
