Вышедшие номера
Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования
Яковлев Г.Е.1,2, Фролов Д.С.1,2, Зубкова А.В.1,2, Левина Е.Е.1,2, Зубков В.И.1,2, Соломонов А.В.1,2, Стерлядкин О.К.1,2, Сорокин С.А.1,2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2ОАО Центральный научно-исследовательский институт "Электрон", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы имплантированные бором кремниевые структуры для ПЗС-матриц с обратной засветкой. Исследовалась серия специально подготовленных структур с различными энергией и дозой имплантации, а также с покровными слоями из алюминия, оксида кремния и их комбинации. Экспериментально получены профили распределения основных носителей заряда по глубине исследуемых структур. Также с использованием уравнения Пуассона и уравнения Фредгольма первого рода проведен расчет распределения концентрации носителей заряда и напряженности электрического поля в структурах. На основе анализа и сопоставления теоретических и экспериментальных концентрационных профилей предложены рекомендации по оптимизации параметров структур для увеличения значения тянущего поля и уменьшения влияния поверхностного потенциала на транспорт носителей заряда.
  1. L. Hirvonen, S. Jiggins, N. Sergent, G. Zanda, K. Suhling. Rev. Sci. Instrum., 85, 123 102 (2014)
  2. M. Gruwe. Nucl. Instr. Meth. A, 387 (1), 282 (1997)
  3. J.C. Richard, M. Vittot. Nucl. Instr. Meth. A, 315, 368 (1992)
  4. R.A. Stern, R.C. Catura, R. Kimble, A.F. Davidsen, M. Winzenread, M.M. Blouke, R. Hayes, D.M. Walton, J.L. Culhane. Opt. Eng., 26 (9), 875 (1987)
  5. T. Ambridge, M. Faktor. J. Appl. Electrochem., 5, 319 (1975)
  6. V. Zubkov, O. Kucherova, D. Frolov, A. Zubkova. Phys. Status Solidi C, 10 (3), 342 (2013)
  7. В.И. Зубков. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса (СПб., Элмор, 2007)
  8. F.D. Heinz, P. Gundel, W. Warta, M.C. Schubert. IEEE J. Photovolt., 3 (1), 341 (2013)
  9. S.P. Phang, D. Macdonald. IEEE J. Photovolt., 4 (1), 64 (2014)
  10. A. Kumar, H. Hidayat, C. Ke, S. Chakraborty, G.K. Dalapati, P.I. Widenborg, C.C. Tan, S. Dolmanan, A.G. Aberle. J. Appl. Phys., 114, 134 505 (2013)
  11. M.M. Blouke, W.A. Delamere, G. Womack. Proc. IEEE CCD Workshop (Waterloo, Canada, 1991) p. 14
  12. А.А. Пугачев, А.Л. Стемпковский. Сб. тр. I Всеросс. науч.-техн. конф. "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем" (М., 2010) с. 648
  13. Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Маляренко, Н.Б. Строкан, В.Л. Суханов, Б. Шмидт, И. Борани. ФТП, 27 (12), 2052 (1993)
  14. C.-M. Lee, S.-P. Chang, S.-J. Chang, C.-I. Wu. Int. J. Electrochem. Sci., 8, 7634 (2013)
  15. B.L. Wall, J.F. Amsbaugh, A. Beglarian, T. Bergmann, H.C. Bichsel, L.I. Bodine, N.M. Boyd, T.H. Burritt, Z. Chaoui, T.J. Corona et al. Nucl. Instr. Meth. A, 744, 73 (2014)
  16. D. Kapila, M. Kulkarni, C. Fernando, J. Davis, K. Vasanth, G. Pollack. Tech. Proc. 1998 Int. Conf. Modeling and Simulation of Microsystems (USA, 1998), ch. 5, p. 199
  17. S. Oosterhoff. Nucl. Instr. Meth., 30 (1), 1 (1988)
  18. J. F. Ziegler. Ion Implantation --- Science and Technology (USA, IIT Press, 2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.