"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Два этапа поверхностного дефектообразования в МОП структуре при низкоинтенсивном воздействии gamma-излучения
Попов В.Д.1
1Национальный исследовательский ядерный университет Московский инженерно-физический институт", Москва, Россия
Email: wdpopov@mailru
Поступила в редакцию: 11 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 19 февраля 2016 г.

Приводятся результаты экспериментального исследования образования поверхностных дефектов на границе раздела Si-SiO2 при мощностях дозы gamma-излучения P=0.1 и 1.0 рад/с. Установлено, что имеют место два этапа процесса образования поверхностных дефектов. Проведен анализ механизмов дефектообразования.
  • Чжо Ко Вин. ЭТ (Полупроводниковые приборы), 1 (228), 54 (2012)
  • О.В. Александров. ФТП, 48, 523 (2014)
  • И.И. Катеринич, В.Д. Попов, Чжо Ко Вин. В сб.: Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру (Лыткарино, ФГУП НИИП, 2012) вып. 1, с. 43
  • В.Д. Попов, Чжо Ко Вин. Матер. XIII Междунар. конф. Физика диэлектриков" (СПб., Россия, 2014) т. 2, с. 234
  • P.J. McWhorter, P.S. Winokur. J. Appl. Phys. Lett., 48, 133 (1986)
  • S.N. Rashkeev, C.R. Cirba, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.C. Witzak, A. Mishez, S.T. Pantelides. IEEE Trans. Nucl. Sci., 49, 2650 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.