"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Действие водорода на электрофизические характеристики структурных элементов тонкопленочной системы Pt/WOx/6H-SiC
Зуев В.В.1, Романов Р.И.1, Фоминский В.Ю.1, Демин М.В.1, Григорьев В.В.1, Неволин В.Н.2
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Проведена оптимизация условий формирования тонкопленочной системы Pt/WOx/SiC на монокристалле карбида кремния (6H-SiC). Полученная система обладала стабильными характеристиками и позволяла эффективно регистрировать водород при низких концентрациях в воздушной среде при температурах ~350oC, а также длительное время удерживать водород в решетке WOx при комнатной температуре. При концентрации водорода ~0.2% сдвиг по напряжению обратных ветвей вольт-амперных характеристик достигал 6.5 В при токе 0.4 мкА из-за большой величины последовательного сопротивления, определяемого областями объемного заряда в WOx и SiC. Проведены структурно-фазовые исследования оксидного слоя при различных режимах воздействия водородосодержащей среды на систему Pt/WOx/SiC. Выявлена корреляция в изменениях ее электрофизических свойств (способности к накоплению заряда и изменению величины сопротивления) и структурного состояния оксидного слоя. Предложено объяснение наблюдаемых под воздействием водорода изменений в токопрохождении через систему Pt/WOx/SiC и ее контактные области (барьерные слои).
  1. S. Kandasamy, A. Trinchi, M.K. Ghantasala, G.F. Peaslee, A. Holland, W. Wlodarski, E. Comini. Thin Sol. Films, 542, 404 (2013)
  2. S. Kandasamy, A. Trinchi, W. Wlodarski, E. Comini, G. Sberveglieri. Sensors Actuators B, 111--112, 111 (2005)
  3. A. Trinchi, S. Kandasamy, W. Wlodarski. Sensors Actuators B, 133, 705 (2008)
  4. В.Ю. Фоминский, С.Н. Григорьев, Р.И Романов, В.В. Зуев, В.В. Григорьев. ФТП, 46 (3), 416 (2012)
  5. В.Ю. Фоминский, Р.И. Романов, В.В. Зуев, А.Г. Гнедовец, М.И. Алымов. Рос. нанотехнологии, 7 (5--6), 32 (2012)
  6. T. Hubert, L. Boon-Brett, G. Black, U. Banach. Sensors Actuators B, 157, 329 (2011)
  7. R.S. Crandall, P.J. Wojtowicz, B.W. Faughnan. Sol. St. Commun., 18 (11--12), 1409 (1976)
  8. A. Inouye, S. Yamamoto, S. Nagata, M. Yoshikawa, T. Shikama. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 266 (2), 301 (2008)
  9. Е.А. Тутов, В.И. Кукуев, Ф.А. Тума, Е.Е. Тутов, Е.Н. Бормонтов. Ползуновский вестн., 2, 115 (2006)
  10. Wen-Chia Hsu, Chih-Chieh Chan, Chia-Hsiang Peng, Chung-Chieh Chang. Thin Sol. Films, 516 (2--4), 407 (2007)
  11. S. Nakagomi, K. Okuda, Y. Kokubun. Sensor Actuator B, 96, 364 (2003)
  12. R.N. Ghosh, P. Tobias, B. Golden. Mater. Res. Soc. Symp., 742, K7.5.1 (2003)
  13. G. Soto, W. De La Cruz, J.A. Di az, R. Machorro, F.F. Castillon, M.H. Fari as. Appl. Surf. Sci., 218, 281 (2003)
  14. S. Yamamoto, A. Inouye, M. Yoshikawa. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 266, 802 (2008)
  15. M. Filipescu, S. Orlando, V. Russo, A. Lamperti, A. Purice, A. Moldovan, M. Dinescu. Appl. Surf. Sci., 253, 8258 (2007)
  16. O. Pyper, A. Kaschner, C. Thomsen. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 71 (4), 511 (2002)
  17. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  18. В.В. Зуев, С.Н. Григорьев, Р.И. Романов, В.Ю. Фоминский. Письма ЖТФ, 39 (18), 78 (2013)
  19. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
  20. R.S. Crandall, B.W. Faughnan. Phys. Rev. Lett., 39 (7), 232 (1977)
  21. Z. Pinter, Z. Sassi, S. Kornely, Ch. Pion, I.V. Perczel, K. Kovacs, R. Bene, J.C. Bureau, F. Reti. Thin Sol. Films, 391 (2), 243 (2001)
  22. Л.А. Алешина, Л.Я. Березин, С.В. Глазнова, В.П. Малиненко, А.Д. Фофанов. ФТТ, 32 (7), 2111 (1990)
  23. N. Yamamoto, S. Tonomura, T. Matsuoka, H. Tsubomura. Surf. Sci., 92, 400 (1980)
  24. N. Tahmasebi Garavand, S.M. Mahdavia, A. Irajizad. Appl. Surf. Sci., 273, 261 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.