"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрический пробой в чистом n- и p-Ge при межзонном фотовозбуждении
Банная В.Ф.1
1Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Представлены результаты исследования низкотемпературного примесного электрического пробоя Ethr в чистом n- и p-Ge при собственном фотовозбуждении разной интенсивности. Ожидалось, исходя из модели рекомбинации свободных носителей заряда через глубокие примесные центры, что величина Ethr в этих условиях будет одинаковой для образцов разного типа проводимости и не будет зависеть от степени компенсации образцов. Однако эксперименты показали, что поле пробоя не зависит от интенсивности подсвета и равно темновому значению. Предложено качественное объяснение наблюдаемому эффекту.
  • В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.Ф. Чуенков. ФТП, 7 (10), 1972 (1973)
  • В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, Ю.А. Гурвич ФТП, 10 (3), 452 (1976)
  • S.H. Koenig, R.D. Brown, W. Shillinger. Phys. Rev., 128, 1668 (1962)
  • В.А. Чуенков. ФТТ, 2, 799 (1960)
  • В.Ф. Банная. ФТП, 49 (9), 37 (2015)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.