"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрический пробой в чистом n- и p-Ge при межзонном фотовозбуждении
Банная В.Ф.1
1Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Представлены результаты исследования низкотемпературного примесного электрического пробоя Ethr в чистом n- и p-Ge при собственном фотовозбуждении разной интенсивности. Ожидалось, исходя из модели рекомбинации свободных носителей заряда через глубокие примесные центры, что величина Ethr в этих условиях будет одинаковой для образцов разного типа проводимости и не будет зависеть от степени компенсации образцов. Однако эксперименты показали, что поле пробоя не зависит от интенсивности подсвета и равно темновому значению. Предложено качественное объяснение наблюдаемому эффекту.
  1. В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.Ф. Чуенков. ФТП, 7 (10), 1972 (1973)
  2. В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, Ю.А. Гурвич ФТП, 10 (3), 452 (1976)
  3. S.H. Koenig, R.D. Brown, W. Shillinger. Phys. Rev., 128, 1668 (1962)
  4. В.А. Чуенков. ФТТ, 2, 799 (1960)
  5. В.Ф. Банная. ФТП, 49 (9), 37 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.