"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гальваномагнитные низкотемпературные исследования чистого германия при собственном фотовозбуждении
Банная В.Ф.1
1Московский государственный гуманитарный университет им. М.А. Шолохова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Статья посвящена вопросам разогрева носителей заряда электрическим полем в чистом Ge (концентрация примесей (Na+Ng) ≤ 5·1013 см-3) при межзонном подсвете. При такой генерации необходимо учитывать наличие двух типов свободных носителей заряда. При этом соотношение между концентрациями электронов и дырок в значительной мере зависит от величины электрического поля, так как оно по-разному влияет на коэффициенты рекомбинации носителей, приводя к новым эффектам. В работе изложены экспериментальные исследования проводимости sigma и постоянной Холла RH в n- и p-Ge при T = 4.2 K и разных интенсивностях собственного фотовозбуждения. Для объяснения результатов рассматривается модель межзонной рекомбинации, учитывающая глубокие примесные центры.
  • В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон. ФТП, 10, 1896 (1983)
  • В.С. Вавилов. Действие излучения на полупроводники (ГИФМП, 1963)
  • Э.Н. Гусинский. Автореф. канд. дис. (М., 1972)
  • P.T. Landsberg, D.A. Evans, C. Phys-Roberts. Proc. Phys. Soc., 83, 325 (1964)
  • P.T. Landsberg, C. Phys-Roberts. P. Lal. Proc. Phys. Soc., 84, 915 (1964)
  • Я.Е. Покровский, К.И. Свистунова. ФТТ, 7 (6), 1837 (1965)
  • Ю.Е. Перлин. УФН, 8 (4), 553 (1963)
  • А.А. Рогачев, С.Н. Рывкин. ФТТ, 7 (6), 1837 (1965)
  • С.Н. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  • Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.