"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия
Форш Е.А.1,2, Форш П.А.1,3, Кашкаров П.К.
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Факультет нано-, био-, информационных и когнитивных технологий Московского физико-технического института, Долгопрудный, Московская обл., Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения и стационарной фотопроводимости, а также изучена релаксация фотопроводимости после отключения освещения пленок нанокристаллического оксида индия (In2O3), синтезированных золь-гель методом. В зависимости от условий получения образцов варьировался средний размер нанокристаллов в них: наименьший средний размер нанокристаллов составлял 7-8 нм, наибольший --- 39-41 нм. Из анализов оптических спектров поглощения и спектральной зависимости фотопроводимости определена оптическая ширина запрещенной зоны исследованных образцов In2O3. Обнаружено, что в нанокристаллическом In2O3 оптическая ширина запрещенной зоны заметно меньше оптической ширины запрещенной зоны в монокристаллическом In2O3. Изучены кинетики спада фотопроводимости в нанокристаллическом In2O3 в воздухе, вакууме и аргоне при комнатной температуре. Предложена модель, объясняющая наблюдаемый спад фотопроводимости.
  1. C. Liang, G. Meng, Y. Lei. Adv. Mater., 13, 1330 (2001)
  2. S. Mailis, L. Boutsikaris, N.A. Vainos, C. Xirouhaki, G. Vasiliou, N. Garawal, G. Kiriakidis, H. Fritzsche. Appl. Phys. Lett., 69, 2459 (1996)
  3. G. Lavareda, C. Nunes de Carvalho, E. Fortunato, A.R. Ramos, E. Alves, O. Conde, A. Amaral. J. Non-Cryst. Sol., 352, 2311 (2006)
  4. D. Zhang, C. Li, S. Han, X. Liu, T. Tang, W. Jin, C. Zhou. Appl. Phys. A, 77, 163 (2003)
  5. G. Korotcenkov, V. Brinzari, A. Cerneavschi, M. Ivanov, V. Golovanov, A. Cornet, J. Morante, A. Cabot, J. Arbiol. Thin Sol. Films, 460, 315 (2004)
  6. M.N. Martyshov, E.A. Forsh, A.V. Marikutsa, P.A. Forsh, M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, P.K. Kashkarov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 6, 452 (2011)
  7. Е.А. Форш, А.В. Марикуца, М.Н. Мартышов, П.А. Форш, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов, П.К. Кашкаров. Росс. нанотехнологии, 7, 87 (2012)
  8. Aron Walsh, Juarez L. F. Da Silva, Su-Huai Wei et al. Phys. Rev. Lett., 100, 167 402 (2008)
  9. P.D.C. King, T.D. Veal, F. Fuchs, C. Korber, A. Klein, L.F.J. Piper, Alex DeMasi, Kevin E. Smith, G. Panaccione, P. Torelli, D.J. Payne, A. Bourlange, R.G. Egdell. Phys. Rev. B, 79, 205 211 (2009)
  10. B. Pashmakov, B. Claflin, H. Fritzsche. Sol. St. Commun., 86, 619 (1993)
  11. Thorsten Wagner, Claus-Dieter Kohl, Sara Morandi, Cesare Malagu, Nicola Donato, Mariangela Latino, Giovanni Neri, Michael Tiemann. Chem. Eur. J., 18, 8216 (2012)
  12. A. Dixit, Raghava P. Panguluri, C. Sudakar, P. Kharel, P. Thapa, I. Avrutsky, R. Naik, G. Lawes, B. Nadgorny. Appl. Phys. Lett., 94, 252 105 (2009)
  13. E.A. Forsh, M.N. Martyshov, P.A. Forsh, P.A. Forsh, M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, P.K. Kashkarov. Thin Sol. Films, 558, 320 (2014)
  14. S. Brunauer. The adsorption of gases and vapors (Princeton, University Press Princeton, 1943)
  15. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  16. J. Kakalios, R.A. Street, W.B. Jackson. Phys. Rev. Lett., 59, 1037 (1987)
  17. H. Scher, E.W. Montroll. Phys. Rev. B, 12, 2455 (1975)
  18. N. Barsan, U. Weimar. J. Electroceram., 7, 143 (2001)
  19. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.