"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности оптических и фотоэлектрических свойств нанокристаллического оксида индия
Форш Е.А.1,2, Форш П.А.1,3, Кашкаров П.К.
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Факультет нано-, био-, информационных и когнитивных технологий Московского физико-технического института, Долгопрудный, Московская обл., Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения и стационарной фотопроводимости, а также изучена релаксация фотопроводимости после отключения освещения пленок нанокристаллического оксида индия (In2O3), синтезированных золь-гель методом. В зависимости от условий получения образцов варьировался средний размер нанокристаллов в них: наименьший средний размер нанокристаллов составлял 7-8 нм, наибольший --- 39-41 нм. Из анализов оптических спектров поглощения и спектральной зависимости фотопроводимости определена оптическая ширина запрещенной зоны исследованных образцов In2O3. Обнаружено, что в нанокристаллическом In2O3 оптическая ширина запрещенной зоны заметно меньше оптической ширины запрещенной зоны в монокристаллическом In2O3. Изучены кинетики спада фотопроводимости в нанокристаллическом In2O3 в воздухе, вакууме и аргоне при комнатной температуре. Предложена модель, объясняющая наблюдаемый спад фотопроводимости.
  • C. Liang, G. Meng, Y. Lei. Adv. Mater., 13, 1330 (2001)
  • S. Mailis, L. Boutsikaris, N.A. Vainos, C. Xirouhaki, G. Vasiliou, N. Garawal, G. Kiriakidis, H. Fritzsche. Appl. Phys. Lett., 69, 2459 (1996)
  • G. Lavareda, C. Nunes de Carvalho, E. Fortunato, A.R. Ramos, E. Alves, O. Conde, A. Amaral. J. Non-Cryst. Sol., 352, 2311 (2006)
  • D. Zhang, C. Li, S. Han, X. Liu, T. Tang, W. Jin, C. Zhou. Appl. Phys. A, 77, 163 (2003)
  • G. Korotcenkov, V. Brinzari, A. Cerneavschi, M. Ivanov, V. Golovanov, A. Cornet, J. Morante, A. Cabot, J. Arbiol. Thin Sol. Films, 460, 315 (2004)
  • M.N. Martyshov, E.A. Forsh, A.V. Marikutsa, P.A. Forsh, M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, P.K. Kashkarov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 6, 452 (2011)
  • Е.А. Форш, А.В. Марикуца, М.Н. Мартышов, П.А. Форш, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов, П.К. Кашкаров. Росс. нанотехнологии, 7, 87 (2012)
  • Aron Walsh, Juarez L. F. Da Silva, Su-Huai Wei et al. Phys. Rev. Lett., 100, 167 402 (2008)
  • P.D.C. King, T.D. Veal, F. Fuchs, C. Korber, A. Klein, L.F.J. Piper, Alex DeMasi, Kevin E. Smith, G. Panaccione, P. Torelli, D.J. Payne, A. Bourlange, R.G. Egdell. Phys. Rev. B, 79, 205 211 (2009)
  • B. Pashmakov, B. Claflin, H. Fritzsche. Sol. St. Commun., 86, 619 (1993)
  • Thorsten Wagner, Claus-Dieter Kohl, Sara Morandi, Cesare Malagu, Nicola Donato, Mariangela Latino, Giovanni Neri, Michael Tiemann. Chem. Eur. J., 18, 8216 (2012)
  • A. Dixit, Raghava P. Panguluri, C. Sudakar, P. Kharel, P. Thapa, I. Avrutsky, R. Naik, G. Lawes, B. Nadgorny. Appl. Phys. Lett., 94, 252 105 (2009)
  • E.A. Forsh, M.N. Martyshov, P.A. Forsh, P.A. Forsh, M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, P.K. Kashkarov. Thin Sol. Films, 558, 320 (2014)
  • S. Brunauer. The adsorption of gases and vapors (Princeton, University Press Princeton, 1943)
  • Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  • J. Kakalios, R.A. Street, W.B. Jackson. Phys. Rev. Lett., 59, 1037 (1987)
  • H. Scher, E.W. Montroll. Phys. Rev. B, 12, 2455 (1975)
  • N. Barsan, U. Weimar. J. Electroceram., 7, 143 (2001)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.