"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние облучения протонами и электронами МэВ-ных энергий на компенсацию проводимости и фотолюминесценцию слабо легированного p-4H-SiC (CVD)
Козловский В.В.1, Лебедев А.А.2, Богданова Е.В.2, Середова Н.В.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 21 августа 2015 г.

Проведено исследование процесса компенсации слабо легированных образцов p-4H-SiC, выращенных методом газофазовой эпитаксии, при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ и протонами с энергией 15 МэВ. Измеренные скорости удаления носителей составили 1.2-1.6 см-1 для электронов и 240-260 см-1 для протонов. При этом зависимость измеряемой концентрации нескомпенсированных акцепторов и доноров с увеличением дозы облучения уменьшалась линейно вплоть до полной компенсации. Такой характер зависимости показывает, что компенсация образцов обусловлена переходом носителей заряда на глубокие центры, образованные первичными радиационными дефектами. Показано, что в слаболегированном p-SiC (CVD), в отличие от n-SiC (CVD), первичные дефекты только в подрешетке углерода не могут объяснять процесс компенсации. В p-SiC за компенсацию проводимости отвечают либо первичные дефекты в подрешетке кремния, либо дефекты в обеих подрешетках. Также было проведено исследование спектров фотолюминесценции в зависимости от дозы облучения.
  • W.J. Choyke. Inst. Phys.: Conf. Ser., 31, 58 (1977)
  • A. Hallen, A. Henry, P. Pelligrino, B.G. Swensson, D. Aberg. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 378 (1999)
  • B.G. Swensson, A. Hallen, M.K. Linnarsson et al. Mater. Sci. Forum, 353--356, 549 (2000)
  • A.A. Lebedev, A.I. Veinger, V.V. Kozlovski, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  • J. Metcalfe. Nucl. Phys. B (Proc. Suppl.), 215, 151 (2011)
  • В.В. Козловский, А.А. Лебедев, В.Н. Ломасов, Е.В. Богданова, Н.В. Середова. ФТП, 48 (8), 1033 (2014)
  • В.В. Козловский, А.Е. Васильев, В.В. Емцев, А.А. Лебедев. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 101 (2014)
  • А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев. ФТП, 30 (3), 55 (1996)
  • А.А. Лебедев. ФТП, 33 (2), 129 (1999)
  • А.Н, Андреев, М.М. Аникин, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28 (5), 729 (1994).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.