"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние облучения протонами и электронами МэВ-ных энергий на компенсацию проводимости и фотолюминесценцию слабо легированного p-4H-SiC (CVD)
Козловский В.В.1, Лебедев А.А.2, Богданова Е.В.2, Середова Н.В.2
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Проведено исследование процесса компенсации слабо легированных образцов p-4H-SiC, выращенных методом газофазовой эпитаксии, при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ и протонами с энергией 15 МэВ. Измеренные скорости удаления носителей составили 1.2-1.6 см-1 для электронов и 240-260 см-1 для протонов. При этом зависимость измеряемой концентрации нескомпенсированных акцепторов и доноров с увеличением дозы облучения уменьшалась линейно вплоть до полной компенсации. Такой характер зависимости показывает, что компенсация образцов обусловлена переходом носителей заряда на глубокие центры, образованные первичными радиационными дефектами. Показано, что в слаболегированном p-SiC (CVD), в отличие от n-SiC (CVD), первичные дефекты только в подрешетке углерода не могут объяснять процесс компенсации. В p-SiC за компенсацию проводимости отвечают либо первичные дефекты в подрешетке кремния, либо дефекты в обеих подрешетках. Также было проведено исследование спектров фотолюминесценции в зависимости от дозы облучения.
  1. W.J. Choyke. Inst. Phys.: Conf. Ser., 31, 58 (1977)
  2. A. Hallen, A. Henry, P. Pelligrino, B.G. Swensson, D. Aberg. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 378 (1999)
  3. B.G. Swensson, A. Hallen, M.K. Linnarsson et al. Mater. Sci. Forum, 353--356, 549 (2000)
  4. A.A. Lebedev, A.I. Veinger, V.V. Kozlovski, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  5. J. Metcalfe. Nucl. Phys. B (Proc. Suppl.), 215, 151 (2011)
  6. В.В. Козловский, А.А. Лебедев, В.Н. Ломасов, Е.В. Богданова, Н.В. Середова. ФТП, 48 (8), 1033 (2014)
  7. В.В. Козловский, А.Е. Васильев, В.В. Емцев, А.А. Лебедев. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 101 (2014)
  8. А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев. ФТП, 30 (3), 55 (1996)
  9. А.А. Лебедев. ФТП, 33 (2), 129 (1999)
  10. А.Н, Андреев, М.М. Аникин, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28 (5), 729 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.