Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.
Экспериментально определено сопротивление шоттки-контактов на основе 4H-SiC при высоких плотностях прямого тока. Измеренное сопротивление существенно больше сопротивления, которое предсказывается классическими механизмами транспорта электронов через шоттки-контакт. Выдвигается и частично обосновывается предположение о решающем вкладе туннельно-прозрачного промежуточного окисного слоя между металлом и полупроводником в сопротивление барьерного контакта.
- D. Stephani, R. Schorner, D. Peters, P. Friedrichs. Sci. Forum, 527--529, 1147 (2006)
- A. Itoh, T. Kimoto, H. Matsunami. IEEE Electron. Dev. Lett., 16, 280 (1995)
- S.-K. Lee, C.-M. Zetterling, M. Ostling. J. Appl. Phys., 87, 8039 (2000)
- П.А. Иванов, И.В. Грехов, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Т.В. Семенов. ФТП, 45, 1427 (2011)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
- Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
- J.G. Simmons. J. Appl. Phys., 34, 1793 (1963)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
