Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In_0.70Al_0.30As/In_0.76Ga_0.24 As/In_0.70Al_0.30As на подложках GaAs

Кульбачинский В.А.^1,2,3, Овешников Л.Н.³, Лунин Р.А.¹, Юзеева Н.А.⁴, Галиев Г.Б.⁴, Климов Е.А.⁴, Пушкарев С.С.⁴, Мальцев П.П.⁴

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

³Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia

⁴Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 16 декабря 2014 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние конструкции буфера и разориентации подложки на электрофизические свойства квантовых ям In_0.70Al_0.30As/In_0.76Ga_0.24 As/In_0.70Al_0.30As на подложке GaAs. Измерены температурные (в интервале температур 4.2<T<300 K) и полевые (в магнитных полях до 6 Тл) зависимости сопротивлений образцов. Выявлено наличие анизотропии сопротивлений в разных кристаллографических направлениях в зависимости от ориентации подложки и конструкции метаморфного буферного слоя. Кроме этого исследован эффект Холла и эффект Шубникова-де Гааза. Из эффекта Шубникова-де Гааза были определены электронные подвижности раздельно в нескольких заполненных подзонах размерного квантования в разных кристаллографических направлениях. Расчетная анизотропия подвижностей соответствует экспериментальным данным анизотропии сопротивлений.

D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron Dev. Lett., 31 (8), 806 (2010)
W.E. Hoke, T.D. Kennedy, A. Toraby, C.S. Whelan, P.F. Marsh, R.E. Leoni, C. Xu, K.C. Hsien. J. Cryst. Growth, 251, 827 (2003)
W.E. Hoke, P.J. Lemonias, J.J. Mosca, P.S. Lyman, A. Torabi, P.F. Marsh, R.A. McTaggart, S.M. Lardizabal, K. Hetzler. J. Vac. Sci. Technol. B., 17, 1131 (1999)
O. Yastrubchak, T. Wosinski, T. Figielski, E. Lusakowska, B. Pecz, A.L. Toth. Physica E, 17, 561 (2003)
G.B. Galiev, I.S. Vasil'evskii, S.S. Pushkarev, E.A. Klimov, R.M. Imamov, P.A. Buffat, B. Dwir, E.I. Suvorova. J. Cryst. Growth, 366, 55 (2013)
Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарёв, А.С. Орехов, Р.Р. Галиев, Е.А. Климов, П.П. Мальцев, Р.М. Имамов. Кристаллография, 59, 471 (2014)
Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, Е.А. Климов, П.П. Мальцев, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. Кристаллография, 59, 301 (2014)
Y. Song, S. Wang, I. Tangring, Z. Lai, M. Sadeghi. J. Appl. Phys., 106, 123 531 (2009)
S.-G. Ihn, S.J. Jo, J.-I. Song. Appl. Phys. Lett., 88, 132 108 (2006)
A.S. Brown, U.K. Mishra, J.A. Henige, M.J. Delaney. J. Appl. Phys., 64, 3476 (1988)
F. Capotondi, G. Biasiol, D. Ercolani, V. Grillo, E. Carlino, F. Romanato, L. Sorba. Thin Sol. Films, 484, 400 (2005)
B.A. Joyce, J.H. Neave, J. Zhang, D.D. Vvedensky et al. Semicond. Sci. Technol., 5, 1147 (1990)
P. Werner, N.D. Zakharov, Y. Chen, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, J.F. Klem, J.Y. Tsao. Appl. Phys. Lett., 62, 2798 (1993)
R.S. Goldman, H.H. Wieder, K.L. Kavanagh, K. Rammohan, D.H. Rich. Appl. Phys. Lett., 65, 1424 (1994)
Q. Sun, C. Lacelle, D. Morris, M. Buchanan, P. Marshall et al. Appl. Phys. Lett., 59, 1359 (1991)
R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, H.H. Wieder, K. Rammohan, S.N. Ehrlich, R.M. Feenstra. J. Appl. Phys., 83, 5137 (1998)
Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, Р.М. Имамов. ФТП, 47 (7), 990 (2013)
B. Jonsson, S.T. Eng. IEEE J. Quant. Electron., 26, 2025 (1990)
Ch. Jirauschek. IEEE J. Quant. Electron., 45, 1059 (2009)
В.А. Кульбачинский, Р.А. Лунин, В.Г. Кытин, А.С. Бугаев, А.П. Сеничкин. ЖЭТФ, 110, 1517 (1996) [V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, V.G. Kytin, A.S. Bugaev, A.P. Senichkin. JETP, 83, 841 (1996)]
L. Daweritz, C. Muggelberg, R. Hey, H. Kostian, M. Horick. Sol. St. Electron. 37, 783 (1994)
В.А. Кульбачинский, Р.А. Лунин, Н.А. Юзеева, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов. ФТП, 47, 927 (2013)
P.T. Coleridge. Phys. Rev. B, 44, 3793 (1991)
J.P. Harrang, R.J. Higgins, R.K. Goodall, P.R. Jay, M. Laviron, P. Delescluse. Phys. Rev. B, 32, 8126 (1985)
А. де Висссер, В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, А.П. Сеничкин, Е.Л. Шангина. Письма в ЖЭТФ, 59, 340 (1994) [JETP Lett., 59, 363 (1994)]
V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, E.V. Bogdanov, V.G. Kytin, A.P. Senichkin. Physica B, 229, 262 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель