Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 7 » Статья стр. 936
<<<>>>
Исследования наноразмерных пленок Al2O3, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления
Середин П.В.1, Голощапов Д.Л.1, Леньшин А.С.1, Лукин А.Н.1, Арсентьев И.Н.2, Бондарев А.Д.2, Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.
PDF версия
Цель работы - получение наноразмерных пленок Al2O3 на поверхности нанопористого кремния, а также фундаментальные исследования структурных, оптических и морфологических свойств этих материалов. Анализируя полученные нами результаты, можно утверждать, что с использованием метода ионно-плазменного распыления на слое пористого кремния могут быть получены ультратонкие наноструктурированные пленки Al2O3 в виде ориентированных в одном направлении нитей, расположенных на расстоянии 300-500 нм друг от друга. Такой механизм роста оксида алюминия обусловлен кристаллографической ориентацией исходной пластины монокристаллического кремния, используемой для создания пористого слоя. Результаты оптической спектроскопии показывают, что гетерофазная структура Al2O3/por-Si/Si(111) отлично пропускает электромагнитное излучение в области 190-900 нм. Обнаруженный максимум в дисперсии показателя преломления пленки Al2O3, выращенной на por-Si, совпадает со значением края оптического поглощения оксида алюминия и расположен в области ~5.60 эВ. Этот факт подтверждается результатами расчетов из спектра оптического поглощения гетерофазной структуры Al2O3/por-Si/Si(111). Сформированные на поверхности гетерофазной структуры в виде наноразмерных структурированных нитей пленки Al2O3 могут служить оптическими проводящими каналами и достаточно эффективно внедрены в стандартные технологии, что имеет огромное значение для микро- и оптоэлектроники.
  1. H.C. Lin, P.D. Ye, G.D. Wilk. Appl. Phys. Lett., 87, 182 904 (2005)
  2. Y. Xuan, Y.Q. Wu, H.C. Lin, T. Shen, Peide D. Ye. IEEE Electron Dev. Lett., 28, 935 (2007)
  3. П.В. Середин, Д.Л. Голощапов, А.Н. Лукин, А.С. Леньшин, А.Д. Бондарев, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 48 (11), 1564 (2014) [Semiconductors, 48 (11), 1527 (2014)]
  4. Dong Lei, Xuegong Yu, Lihui Song, Xin Gu, Genhu Li, Deren Yang. Appl. Phys. Lett., 99, 052 103 (2011)
  5. Volker Naumann, Martin Otto, Ralf B. Wehrspohn, Christian Hagendorf. J. Vacuum Sci. Technol. A, 30, 04D 106 (2012)
  6. А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, П.В. Середин, Б.Л. Агапов, Д.А. Минаков, В.Н. Ципенюк, Э.П. Домашевская. ЖТФ, 84 (2), 70 (2014) [Technical Physics, 59 (2), 224 (2014)]
  7. В.М. Кашкаров, А.С. Леньшин, П.В. Середин, Б.Л. Агапов, В.Н. Ципенюк. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 9, 80 (2012) [J. Surf. Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 6 (5), 776 (2012)]
  8. А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, П.В. Середин, Д.А. Минаков, Б.Л. Агапов, М.А. Кузнецова, В.А. Мошников, Э.П. Домашевская. ФТП, 46 (8), 1101 (2012) [Semiconductors, 46 (8), 1079 (2012)]
  9. П.В. Середин, В.Е. Терновая, А.В. Глотов, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, H. Leiste, T. Prutskij. ФТТ, 55 (10), 2047 (2013) [Phys. Sol. St., 55 (10), 2161 (2013)]
  10. П.В. Середин, А.В. Глотов, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. ФТП, 48 (1), 23 (2014) [Semiconductors, 48 (1), 21 (2014)]
  11. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, В.Е. Терновая, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, T. Prutskij. ФТТ, 55 (10), 2054 (2013) [Phys. Sol. St., 55 (10), 2169 (2013)]
  12. П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (4) 488 (2011) [Semiconductors, 45 (4), 481 (2011)]
  13. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B --- Condens. Matter, 405 (22), 4607 (2010)
  14. Bietti et al. Appl. Phys. Lett., 103, 262 106 (2013)
  15. L. Grenouillet, T. Dupont, P. Philippe, J. Harduin, N. Olivier, D. Bordel, E. Augendre, K. Gilbert, P. Grosse, A. Chelnokov et al. Optical and Quant. Electron., 44, 527 (2012)
  16. Y.B. Bolkhovityanov, O.P. Pchelyakov. Usp. Fiz. Nauk, 51, 437 (2008)
  17. V. Kashkarov, I. Nazarikov, A. Lenshin, V. Terekhov, S. Turishchev, B. Agapov, K. Pankov, E. Domashevskaya. Phys. Status Solidi (C) Current Topics in Sol. St. Phys., 6 (7), 1557 (2009)
  18. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (M., Наука, 1977)
  19. A.B. Kuzmenko. Rev. Sci. Instrum., 76, 083 108 (2005)
  20. V. Lucarini, J.J. Saarinen, K.E. Peiponen, E.M. Vartiainen. Kramers-Kronig Relations in Optical Materials Research (Berlin, Springer Verlag, 2005)
  21. Furu Zhong, Changjun Tie, Xiaoyi Lv, Jiaqing Mo, Zhenhong Jia, Tao Jiang. Adv. Mater. Res., 148- 149, 841 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme