"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si
Соболев М.С.1, Лазаренко А.А.1, Никитина Е.В.1, Пирогов Е.В.1, Гудовских А.С.1, Егоров А.Ю.1
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Показана возможность создания монокристаллических буферных слоев GaP на подложке Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием методики "эпитаксия с повышенной миграцией" на стадии формирования зародышевого слоя. При формировании слоя GaP на подложке кремния p-типа проводимости в подложке естественным образом создается p-n-переход между подложкой p-Si и приповерхностным слоем n-Si, который возникает в результате диффузии фосфора в подложку в процессе эпитаксиального роста GaP. Данный p-n-переход может быть использован в качестве первого перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния.
  • S.Y. Moon, H. Yonezu, Y. Furukawa, Y. Morisaki, S. Yamada, A. Wakahara. Phys. Status Solidi A, 204 (6), 2082 (2007)
  • А.В. Бабичев, А.А. Лазаренко, Е.В. Никитина, Е.В. Пирогов, М.С. Соболев, А.Ю. Егоров. ФТП, 48 (4), 518 (2014)
  • Y. Furukawa, H. Yonezu, A. Wakahara, S. Ishiji, S.Y. Moon, Y. Morisaki, J. Cryst. Growth, 300, 172 (2007)
  • T. Nguyen Thanh, C. Robert, W. Guo, A. Letoublon, C. Cornet, G. Elias, A. Ponchet, A. Rohel. Appl. Phys. Lett., 112, 053 521 (2012)
  • А.А. Лазаренко, Е.В. Никитина, Е.В. Пирогов, М.С. Соболев, А.Ю. Егоров. ФТП, 48 (3), 407 (2014)
  • H. Yonezu, Y. Furukawa, A. Wakahara. J. Cryst. Growth, 310, 4757 (2008)
  • A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)
  • T. Tsuji, H. Yonezu, M. Yokozeki, Y. Takagi, Y. Fujimoto, N. Ohshima. Jpn. J Appl. Phys., 36 (9A), 5431 (1997)
  • J.F. Geisz, J.M. Olson, D.J. Friedman, K.M. Jones, R.C. Reedy, M.J. Romero. 31th IEEE PVSC (2005) p. 695
  • Y. Horikoshi, H. Yamaguchi, T.S. Rao, S. Ramesh, N. Kobayashi. AIP Conf. Proc., 227, 29 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.