Рассмотрены возможности использования данных высокочастотных измерений импеданса структур металл-окисел-полупроводник со сверхтонким изолирующим слоем для определения параметров полупроводника и туннельных характеристик диэлектрика. Если точность эксперимента позволяет фиксировать и активную, и реактивную части импеданса, то толщина приповерхностного слоя обеднения, сопротивление базовой части полупроводника, дифференциальная туннельная проводимость изолирующего слоя и дифференциальный, стимулированный туннелированием ток генерации электронно-дырочных пар вычисляются через измеренные на двух частотах значения емкости и проводимости структуры. В случае, когда значения активной части импеданса лежат за пределами точности измерений, анализ параметров возможен при 4-частотной организации опыта по значениям только емкостей при повышенной точности их измерений. Сформулирован тест для необходимой точности данных такого опыта. Если тест не исполняется, то можно определить только емкость поверхностного слоя обеднения в полупроводнике, и при этом достаточно одночастотного опыта.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.