Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP_1-xN_x и GaP_1-x-yN_xAs_y, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Лазаренко A.A.¹, Никитина E.B.¹, Соболев M.C.¹, Пирогов E.B.¹, Денисов Д.В.¹, Егоров А.Ю.¹

¹Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 сентября 2014 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

PDF версия

Oбсуждаются структурные и оптические свойства гетероструктур со слоями тройных и четверных твердых растворов GaP_1-xN_x и GaP_1-x-yN_xAs_y, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках фосфида галлия и кремния. Исследование структур проводилось методами рентгеновской дифракции высокого разрешения и фотолюминесценции в широком температурном диапазоне 10-300 K. В спектрах низкотемпературной фотолюминесценции твердых растворов с малой долей азота (x<0.007) наблюдаются четко разрешающиеся узкие линии, связанные с локализованными состояниями азотных пар, и их фононные реплики.

S.Y. Moon, H. Yonezu, Y. Furukawa, Y. Morisaki, S. Yamada, A. Wakahara. Phys. Status. Solidi A, 204 (6), 2082 (2007)
А.В. Бабичев, А.А. Лазаренко, Е.В. Никитина, Е.В. Пирогов, М.С. Соболев, А.Ю. Егоров. ФТП, 48 (4), 518 (2014)
H. Yonezu, Y. Furukawa, A. Wakahara. J. Cryst. Growth, 310, 4757 (2008)
Y. Furukawa, H. Yonezu, A. Wakahara, S. Ishiji, S.Y. Moon, Y. Morisaki. J. Cryst. Growth, 300, 172 (2007)
T. Nguyen Thanh, C. Robert, W. Guo, A. Letoublon, C. Cornet, G. Elias, A. Ponchet, A. Rohel. Appl. Phys. Lett., 112, 053 521 (2012)
B. Kunert, S. Reinhard, J. Koch, M. Lampalzer, K. Volz, W. Stolz. Phys. Status Solidi C, 3 (3), 614 (2006)
A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)
T. Tsuji, H. Yonezu, M. Yokozeki et al. Jpn. J. Appl. Phys., 36 (9A), 5431 (1997)
B. Kunert, K. Volz, W. Stolz. Phys. Status Solidi B, 244, 2730 (2007)
А.А. Лазаренко, Е.В. Никитина, Е.В. Пирогов, М.С. Соболев, А.Ю. Егоров. ФТП, 48 (3), 407 (2014)
О.И. Румянцев, П.Н. Брунков, Е.В. Пирогов, А.Ю. Егоров. ФТП, 44 (7), 923 (2010)
D.G. Thomas, J.J. Hopfield, C.J. Frosch. Phys. Rev. Lett., 15, 857 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель