"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n+-InN
Саченко А.В.1, Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Брунков П.Н.3,4, Жмерик В.Н.3, Иванов С.В.3, Капитанчук Л.М.5, Конакова Р.В.1, Кладько В.П.1, Сай П.О.1, Сафрюк Н.В.1, Шеремет В.Н.1, Романец П.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
5Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 31 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 21 марта 2015 г.

Измерены температурные зависимости удельного контактного сопротивления (rhoc) омических контактов на основе системы Au-Ti-Pd-InN при уровне легирования InN 2·1018 см-3, в диапазоне температур от 4.2 до 300 K. При температурах T>150 K получены линейно растущие зависимости rhoc(T). Зависимости объяснены в рамках механизма протекания термоэмиссионного тока через металлические шунты, сопряженные с дислокациями. Достигнуто хорошее согласие теоретических зависимостей с экспериментом. Оно получено в предположениях, что протекающий ток ограничивается суммарным сопротивлением металлических шунтов, а плотность проводящих дислокаций составляет ~ 5·109 см-2. Методом рентгеновской дифрактометрии измерена плотность винтовых и краевых дислокаций в исследованной структуре, и установлено, что их суммарная плотность превышает 1010 см-2.
  • В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин. ФТП, 38 (8), 897 (2004)
  • Indium Nitride and Related Alloys, ed. by T.D. Veal, C.F. Mc Conville, W.J. Achaff (CRS Press, 2010)
  • А.Н. Ковалев. Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур (М., Изд. Дом МИСиС, 2011)
  • S.V. Ivanov, D.V. Nechaev, A.A. Sitnikova, V.V. Ratnikov, M.A. Yagovkina, N.V. Rzheutskii, E.V. Lutsenko, V.N. Jmerik. Semic. Sci. Technol. 29 (8), 084008 (2014)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  • A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, S.V. Novitskii, V.N. Sheremet, J. Li, S.A. Vitusevich. J. Appl. Phys., 111 (8), 083 701 (2012).
  • A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, V.N. Sheremet, S.A. Vitusevich. J. Appl. Phys., 112 (6), 063 703 (2012)
  • S.V. Ivanov, T.V. Shubina, T.A. Komissarova, V.N. Jmerik. J. Crystal Growth, 403, 83 (2014)
  • S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices, 3rd edn. (New Jersey, Wiley, 2007)
  • P. Rinke, M. Scheffler, A. Qteish, M. Wnkelnkemper, D. Bimberg, J. Neugebauer. Appl. Phys. Lett., 89 (16), 161 919 (2006)
  • C.R. Abernathy, S.J. Pearton, F. Ren, P.W. Wisk, J. Vac. Sci. Technol. B, 11 (2), 179 (1993)
  • M.E. Lin, F.J. Huang, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 64 (19), 2557 (1994)
  • F. Ren, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, P.W. Wisk. Appl. Phys. Lett., 64 (12), 1508 (1994)
  • F. Ren, C.R. Abernathy, S.N.G. Chu, J.R. Lothian, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 66 (12), 1503 (1995)
  • A. Durba, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.W. Lee, P.H. Holloway, F. Ren. J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (4), 2582 (1996)
  • C.B. Varthli, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.D. MacKenzie, R.J. Shul, J.C. Zolper, M.L. Lovejoy, A.G. Baca, M. Hagerott-Crawford, J. Vac. Sci. Technol. B, 14 (6), 3520 (1996)
  • S.M. Donovan, J.D. Mac Kenzie, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, F. Ren, K. Jones, M. Cole. Appl. Phys. Lett., 70 (19), 2592 (1997)
  • F. Ren, C.B. Vartuli, S.A. Pearton, C.R. Abernathy, S.M. Donovan, J.D. MacKenzie, R.J. Shul, J.C. Zolper, M.L. Lovejoy, A.G. Boy, M. Hagerott-Crawford, K.A. Jones. J. Vac. Sci. Technol. A, 15 (3), 802 (1997)
  • C.B. Vartuli, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.D. MacKenzie, M.L. Lovejoy, R.J. Shul, Z.C. Zolper, A.G. Baca, M. Hagerot-Crawford, A. Jones, F. Ren. Solid-State Electron., 41 (4), 531 (1997)
  • S.M. Donovan, J.D. MacKenzie, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, F. Ren, K. Jones, M. Cole. Solid-State Electron., 42 (10), 1831 (1998)
  • Han-Ki Kim, Ja-Soon Jang, Seong-Ju Park, Tac-Jeon Seong. J. Electrochem. Soc., 147 (4), 1573 (2000)
  • H. Lu, W.J. Schaff, L.F. Eastman, C.E. Stutz. Appl. Phys. Lett., 82 (11), 1736 (2003)
  • Chin-Yang Chang, Gou-Chung Chi, Wei-Ming Wang, Li-Chyong Chen, Kuei-Hsien Chen, F. Ren, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 87 (9), 093 112 (2005)
  • Rohit Khanna, B.P. Gila, L. Stafford, S.J. Pearton, F. Ren, I.I. Kravchenko, Amir Dabiran, A. Osinsky. Appl. Phys. Lett., 90 (16), 162 107 (2007)
  • М.Э. Рудинский, А.А. Гуткин, П.Н. Брунков. ФТП, 44 (8), 1053 (2010)
  • N. Cheng, H. Von Seefeld, M.-A. Nicolet. Proc. Symp. Thin Films Interfaces and Interactions, 80 (2), 323 (1980)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  • П.М. Малков, И.Б. Данилин, А.Г. Зельдович, А.Б. Фрадков. Справочник по физико-техническим основам криогеники (М., Энергия, 1973)
  • J. Bardeen. J. Appl. Phys., 11 (2), 88 (1940)
  • Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.M. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (John Wiley \& Sons Inc., New York, 2001).
  • F.A. Padovani, R. Stratton. Solid-State Electron., 9 (7), 695 (1966)
  • В.В. Мамутин, Н.А. Черкашин, В.А. Векшин, В.Н. Жмерик, С.В. Иванов. ФТП, 43 (1), 146 (2001)
  • H.F. Matare. Defect electronics in semiconductors (Wiley-Interscience, New York, 1971)
  • V.I. Fistul'. Heavily Doped Semiconductors (Plenum Press, New York, 1969)
  • I.M. Dykman, V.M. Rosenbaum, F.T. Vasko. Phys. Status Solidi B, 88 (9), 385 (1978)
  • В.Ф. Гандмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
  • K. Seeger. Semiconductor Physics (Springer-Verlag, Wien, 1973)
  • C. Rauch, F. Tuomisto, P.D.C. King, T.D. Veal, H. Lu, W.J. Schaff. Appl. Phys. Lett., 101 (1), 011 903 (2012)
  • K.-F. Berggren, B.E. Sernelius. Phys. Rev. B, 24 (4), 1971 (1981).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.