Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Технология и электронные свойства PHEMT-квантовых ям AlGaAs/In_y(z)Ga_1-y(z)As/GaAs с переменным профилем состава

Васильевский И.С.¹, Виниченко А.Н.¹, Грехов М.М.¹, Гладков В.П.¹, Каргин Н.И.¹, Стриханов М.Н.¹

¹Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 9 января 2014 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Для управления потенциальным профилем квантовой ямы реализована технология варизонных слоев In_yGa_1-yAs с неоднородным профилем состава вдоль направления роста. Структурные свойства образцов аттестованы методом рентгеновской дифрактометрии. В выращенных PНЕМТ-гетероструктурах с односторонним и двусторонним delta-легированием Al_0.23Ga_0.77As/In_yGa_1-yAs/Al_0.23Ga_0.77As исследовано влияние неоднородного состава квантовой ямы на структурные и электронные транспортные свойства образцов (градиент содержания InAs до 1.2%/нм при среднем y =0.2). Оптимизация профиля состава приводит к увеличению подвижности и концентрации электронов. Эффект связан как с изменением профиля дна квантовой ямы и ее эффективной глубины, так и с уменьшением рассеяния электронов за счет более симметричной формы электронной волновой функции в квантовой яме.

S. Sen, F. Capasso, A.C. Gossard, R.A. Spah, A.L. Hutchinson, S.N.G. Chu. Appl. Phys. Lett., 51 (18), 1428 (1987)
Y.R. Lee, A.K. Ramdas, A.L. Moretti, F.A. Chambers, G.P. Devane, L.R. Ram-Mohan. Phys. Rev. B, 41 (12), 8380 (1990)
R.F. Kopf, M.H. Herman, M. Lamont Schnoes, A.P. Perley, G. Livescu, M. Ohring. J. Appl. Phys., 71 (10), 5004 (1992)
S.M. Wang, G. Treideris, W.Q. Chen, T.G. Andersson. Appl. Phys. Lett., 62 (1), 61 (1993)
J.-C. Huang, W.-C. Hsu, C.-S. Lee, D.-H. Huang, M.-F. Huang. Semicond. Sci. Technol., 21, 619 (2006)
C.-S. Lee, W.-T. Chien. J. Electrochem. Soc., 158 (4), H452 (2011)
Y.-J. Li, W.-C. Hsu, I.-L. Chen, C.-S. Lee, Y.-J. Chen, I. Lo. J. Vac. Sci. Technol. B, 22 (5), 2429 (2004)
T.-K. Yoo, P. Mandeville, H. Park, W.J. Schaff, L.F. Eastman. Appl. Phys. Lett., 61 (16), 1942 (1992)
Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42 (9), 1102 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель