Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние длительности электрохимического анодирования на микротвердость макропористого кремния

Дмитриевский А.А.¹, Ефремова Н.Ю.¹, Дружкин А.В.¹, Коростелева Т.О.¹, Гусева Д.Г.¹

¹Тамбовский государственный университет им. Г.Р. Державина, Тамбов, Россия Tambov State University, Tambov, Russia

Поступила в редакцию: 23 октября 2013 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

PDF версия

Исследована зависимость микротвердости H формируемых макропористых слоев кремния от длительности электрохимического анодирования t_an при постоянной плотности тока J=20 мА/см². Показано, что нелинейный характер зависимости H(t_an) обусловлен влиянием на микротвердость не только поверхностной плотности пор, но и монокристаллической основы при L<10 h, где L и h - толщина пористого слоя и глубина внедрения индентора соответственно.

Yu.P. Piryatinski, L.O. Dolgov, O.V. Yaroshchuk, S. Lazarouk. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 467, 195 (2007)
U. Griming, V. Lehmann, S. Ottow. Appl. Phys. Lett., 68 (6), 747 (1996)
H. Saha, C. Pramanik. Mater. and Manufactur. Processes, 21, 239 (2006)
В.В. Болотов, П.М. Корусенко, С.Н. Несов, С.Н. Поворознюк, В.Е. Росликов, Е.А. Курдюкова, Ю.А. Стенькин, Р.В. Шелягин, Е.В. Князев, В.Е. Кан, И.В. Пономарева. ФТП, 45 (5), 702 (2011)
L.S. Monastyrskyi, O.I. Aksimentyeva, M.R. Pavlyk, V.P. Savchyn, L.I. Yaryc'ka. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 536, 58 (2011)
H. Foll, M. Leisner, A. Cojocaru, J. Carstensen. Materials, 3, 3006 (2010)
Y. Lu, J. Yang, W. Lu, R. Liu, G. Qiao, C. Bao. Mater. and Manufactur. Processes, 25, 998 (2010)
В.А. Юзова, А.А. Левицкий, П.А. Харлашин. Журн. Сибир. федерал. ун-та. Техника и технологии, 1, 92 (2011)
K. Berrada, H. Targaoui, A. Kaddouri, G. Louarn, G. Froyer, A. Outzourhit. Spectroscopy Lett., 40, 753 (2007)
Е.Б. Король, С.М. Иккарин. Письма ЖТФ, 26 (6), 1 (2000)
Б.М. Костишко, Ю.С. Нагорнов. Письма ЖТФ, 27 (19), 58 (2001)
В.И. Соколов, А.И. Шелых. Письма ЖТФ, 34 (5), 34 (2008)
В.В. Мокряков. Вычислительная механика сплошных сред, 3 (3), 90 (2010)
Д.С. Гаев, С.Ш. Рехвиашвили. ФТП, 46 (2), 145 (2012)
Ю.И. Головин. ФТТ, 50 (12), 2113 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель