"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO2 структуры кремний-на-изоляторе
Тысченко И.Е.1, Фельсков М.2, Черков А.Г.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 16 января 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Исследован ионный синтез нанокристаллов InSb в слое захороненного SiO2 структуры кремний-на-изоляторе. Изучены профили распределения атомов индия и сурьмы после отжига при температуре Ta=500-1100oC. Установлено, что перераспределение имплантированных атомов имеет немонотонный характер в зависимости от температуры отжига. Формирование нанокристаллов InSb происходит при Ta≥800oC вблизи границы Si/SiO2 и на глубине средних пробегов Rp. Анализ профилей имплантированных атомов и структуры и распределения по глубине формирующихся нанокристаллов позволил сделать предположение о двухстадийном характере образования фазы InSb: на первой стадии происходит формирование преципитатов сурьмы, которые играют роль зародышей для дальнейшего стока на них атомов In и Sb.
  • K. Zhu, J. Shi, L. Zhang. Sol. St. Commun., 107, 79 (1998)
  • B.R. Bennett, B.V. Shanabrook, R. Magno. Appl. Phys. Lett., 68, 958 (1996)
  • T. Utzmeier, P.A. Postigo, J. Tamayo, R. Garci a, F. Briones. Appl. Phys. Lett., 69, 2674 (1996)
  • G. Armelles, T. Utzmeier, P.A. Postigo, F. Briones, J.C. Ferrer, P. Peiro, A. Comet, J. Appl. Phys., 81, 6339 (1997)
  • J.-Z. Shi, Q.-Y. Shao, K.-G. Zgu. Acta Phys. Sin., 49, 2304 (2000)
  • D. Chen, C. Li, Z. Zhu, J. Fan, S. Wei. Phys. Rev. B, 72, 075 341 (2005)
  • A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 61, 993 (1987)
  • A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 5220 (1985)
  • I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 267, 1360 (2009)
  • A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 1872 (1985)
  • D. Kruger, H. Rucker, B. Heinemann, V. Melnik, R. Kurps, D. Botze. J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 455 (2004)
  • Г.А. Качурин, Г.В. Гадияк, В.И. Шатров, И.Е. Тысченко. ФТП, 26, 1977 (1992)
  • A.F. Borun, A.B. Danilin, V.N. Mordkovich, E.M. Temper. Rad. Eff., 107, 9 (1988)
  • M.Yu. Barabanenkov, Yu.A. Agafonov, V.N. Mordkovich, A.N. Pustovit, A.F. Yyatkin, V.I. Zinenko. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 171, 301 (2000)
  • F.S. Ham. J. Phys. Chem. Sol., 6, 335 (1958)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.