"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs0.84Sb0.16/AlSb
Павлов Н.В.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

В рамках модели Кейна вычислены: энергия уровней размерного квантования, коэффициент поглощения и скорость излучательной рекомбинации для межзонных оптических переходов между различными подзонами размерного квантования в гетероструктуре с глубокой квантовой ямой состава AlSb/InAs0.86Sb0.14/AlSb с учетом и без учета спин-орбитального взаимодействия. Показано, что поправки, вносимые спин-орбитальным взаимодействием при расчете указанных величин, не превышают нескольких десятков процентов даже при значениях константы спин-орбитального взаимодействия, превышающих ширину запрещенной зоны, а учет непараболичности при расчете энергии уровней размерного квантования и коэффициента поглощения является гораздо более важным, чем учет спин-орбитального взаимодействия. При расчете скорости излучательной рекомбинации необходимо учитывать оба эффекта.
  1. G.G. Zegrya. In: Antimonide-Related Strained-Layer Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, 1997) p. 273
  2. M.P.Mikhailova, L.V. Danilov, K.V. Kalinina, E.V. Ivanov, N.D. Stoyanov, G.G. Zegrya, Y.P. Yaklovev, A. Hospodkova, J. Pangrac, M. Zikova, E. Hulicius. In: The Wonder of Nanotechnology: Quantum Optoelectronic Devices and Applications, ed. By M. Razeghi. L. Esaki, K. von Klitzing (SPIE Press, Bellingham, WA, 2013) p. 105
  3. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001)
  4. S.A. Cripps et al. Appl. Phys. Lett. 90, 1721 (2007)
  5. L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1132 (2000)
  6. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42, 573 (2007)
  7. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ, 1997)
  8. Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998)
  9. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42, 566 (2007)
  10. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря и др. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах (СПб., Наука, 2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.