"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs0.84Sb0.16/AlSb
Павлов Н.В.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

В рамках модели Кейна вычислены: энергия уровней размерного квантования, коэффициент поглощения и скорость излучательной рекомбинации для межзонных оптических переходов между различными подзонами размерного квантования в гетероструктуре с глубокой квантовой ямой состава AlSb/InAs0.86Sb0.14/AlSb с учетом и без учета спин-орбитального взаимодействия. Показано, что поправки, вносимые спин-орбитальным взаимодействием при расчете указанных величин, не превышают нескольких десятков процентов даже при значениях константы спин-орбитального взаимодействия, превышающих ширину запрещенной зоны, а учет непараболичности при расчете энергии уровней размерного квантования и коэффициента поглощения является гораздо более важным, чем учет спин-орбитального взаимодействия. При расчете скорости излучательной рекомбинации необходимо учитывать оба эффекта.
  • G.G. Zegrya. In: Antimonide-Related Strained-Layer Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, 1997) p. 273
  • M.P.Mikhailova, L.V. Danilov, K.V. Kalinina, E.V. Ivanov, N.D. Stoyanov, G.G. Zegrya, Y.P. Yaklovev, A. Hospodkova, J. Pangrac, M. Zikova, E. Hulicius. In: The Wonder of Nanotechnology: Quantum Optoelectronic Devices and Applications, ed. By M. Razeghi. L. Esaki, K. von Klitzing (SPIE Press, Bellingham, WA, 2013) p. 105
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001)
  • S.A. Cripps et al. Appl. Phys. Lett. 90, 1721 (2007)
  • L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1132 (2000)
  • Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42, 573 (2007)
  • В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ, 1997)
  • Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998)
  • Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42, 566 (2007)
  • Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря и др. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах (СПб., Наука, 2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.